Элементарный анализ покрытий и тонких слоев металлов методом двухимпульсной лазерной атомно-эмиссионной спектроскопии

Abstract

При проведении элементарного анализа образцов с малыми концентрациями исследуемого вещества, например, покрытий и тонких слоев металлов, наиболее интенсивными в спектре оказываются резонансные линии, для которых характерно явление самопоглощения, выраженного в провале интенсивности спектрального пика. Провал спектрального пика делает невозможным определения точного значения концентрации образца. При уменьшении интенсивности возбуждающего излучения интенсивность резонансного пика падает до уровня шума. Предложена методика управления плотности мощности лазерного излучения для уменьшения влияния явления самофокусировки. В качестве объекта исследования взят тонкий слой легкоплавкого галлия, нанесенный на тугоплавкую вольфрамовую подложку.