Моделирование электрических характеристик субмикронного кремниевого лавинного фотодиода
Another Title
Simulation of electrical characteristics of a submicron silicon avalanche photodiode
Abstract
С помощью многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование тока в кремниевом лавинном фотодиоде со структурой p+–i–p–n+, работающем в режиме обратного смещения при воздействии пикосекундных импульсов лазерного излучения с длиной волны 650 нм. Рассмотрены диодные структуры с различной толщиной и различными уровнями легирования рабочих областей.
Abstract in another language
The paper presents modeling of stationary recombination processes using specialized software implemented in Python. The developed software allows considering the influence of defects and impurities in semiconductors and provides dependencies of filling functions and carrier lifetime on excess charge concentration.