Моделирование светоизлучающих p–n-структур на основе GaAs
Another Title
The simulation of light-emitting GaAs-based p–n structures
Abstract
Разработана одномерная модель p–n-структуры на основе GaAs, с помощью которой выполнено приборное моделирование указанного светоизлучающего перехода и исследованы его электрофизические свойства. Моделирование выполнено с помощью разработанной автором программы MOD-1D, которая дала возможность рассчитать и построить зависимости интенсивности излучения рассмтриваемой диодной структуры от координаты и определить, как положение максимума интенсивности его излучения Imax зависит от напряжения, прикладываемого к p–n-переходу. Установлено, что при низких уровнях инжекции смещение Imax по глубине GaAs-структур отсутствует; в условиях высоких уровней инжекции наблюдается смещение положения Imax в область с более высоким уровнем концентрации легирующей примеси.
Abstract in another language
Nitinol stents manufactured by laser cutting often have an oxide film on the surface, which can hinder further modification processes. In the present study, the influence of chemical etching and sandblasting on the removal of this oxide film under various regimes was investigated. Samples were processed under different treatment regimes, and the effect of the treatment was evaluated visually using a microscope. The results demonstrate that these methods effectively remove the oxide layer and prepare the surface of the nitinol stent for its subsequent processing.