Забогонский, К. А. Расчет коэффициента амбиполярной диффузии в полупроводниках с глубокими уровнями примесей и дефектов / К. А. Забогонский, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 18-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 23-25 апреля 2025 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: А. М. Маляревич (пред. редкол.), О. К. Гусев, А. И. Свистун [и др.]. – Минск : БНТУ, 2025. – С. 107-108.