Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Сериальные издания
  • Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ
  • 2025
  • № 4
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Сериальные издания
  • Энергетика. Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ
  • 2025
  • № 4
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Вольт-амперные характеристики выпрямительных диодов металл – полупроводник. Часть 2. Вольт-амперные характеристики диодов металл – полупроводник

Thumbnail
DOI
10.21122/1029-7448-2025-68-4-291-310
Authors
Гречихин, Л.И.
Date
2025
Publisher
БНТУ
Another Title
Volt-ampere Characteristics of Metal-semiconductor Rectifier Diodes. Part 2. Volt-ampere Characteristics of Metal-semiconductor Diodes
Bibliographic entry
Гречихин, Л. И. Вольт-амперные характеристики выпрямительных диодов металл – полупроводник. Часть 2. Вольт-амперные характеристики диодов металл – полупроводник / Л. И. Гречихин // Известия высших учебных заведений и энергетических объединений СНГ. Энергетика. – 2025. – № 4. – С. 291-310.
Abstract
Вольт-амперные характеристики разных диодов и стабилитронов получены опытным путем и существенно отличаются от опыта к опыту. Как правильно обосновать причину таких отличий, неясно. В этой связи возникла проблема в разработке теоретических основ производства такого вида техники на достаточно обоснованной теоретической базе с учетом последних достижений в электротехнике и электронике. В результате рассмотрен процесс формирования токов проводимости и токов смещения в контакте металл – полупроводник. В качестве металла применен алюминий, а в качестве полупроводника – германий и кремний. При прямом приложенном внешнем напряжении разработана теория расчета вольт-амперных характеристик германиевого и кремниевого диодов. Показано, что энергия сродства атомов полупроводниковых материалов на катоде несколько возрастает вследствие связи отрицательных ионов с электрическими диполями атомов поверхностного слоя молекул алюминия внутри столбообразной пустоты и при этом формируется электрический ток проводимости путем движения электронов от катода к аноду. Концентрация электронов вследствие ионизации отрицательных ионов определяется не температурой непосредственно диода, а уменьшенной температурой электронного газа внутри алюминия вследствие преодоления контактной разности потенциалов на p–n переходе. На аноде происходит последовательное накопление отрицательного заряда электронов, что определяет превращение тока проводимости в ток смещения, так как энергия электронов в этом случае не превышает энергию работы выхода из кристалла алюминия. При обратном приложенном напряжении величина энергии сродства отрицательных ионов атомов примеси у анода остается прежней вследствие ионизации отрицательных ионов с учетом возрастания температуры электронного газа на p–n переходе с возникновением тока смещения. Электрический ток проводимости возникает с кристалла алюминия, выполняющего роль катода, внутри столбообразной пустоты вследствие термоавтоэлектронной эмиссии. Ток проводимости у анода превращается в ток смещения, который поступает во внешние электрические провода. Внутренние стенки столбообразной пустоты являются хорошим диэлектриком и поэтому хорошо проводят ток смещения внутри столбообразной пустоты. Ток проводимости в этом случае выполняет роль усилителя результирующего электрического тока.
Abstract in another language
The volt-ampere characteristics of different diodes and zener diodes are obtained experimentally, and they differ significantly from experience to experience. It is unclear how to properly substantiate the reason for such differences. In this regard, a problem arose in developing the theoretical foundations for the production of this type of equipment on a sufficiently sound theoretical basis, taking into account the latest advances in electrical engineering and electronics. As a consequence, the process of formation of conduction currents and displacement currents in a metal–semiconductor contact is considered. Aluminum was used as a metal, and germanium and silicon were used as a semiconductor. With a direct applied external voltage, a theory for calculating the volt-ampere characteristics of germanium and silicon diodes has been developed. It is shown that the affinity energy of atoms of semi-conductor materials at the cathode increases slightly due to the coupling of negative ions with electric dipoles of atoms of the surface layer of aluminum molecules inside a columnar void, and an electric conduction current is formed by the movement of electrons from the cathode to the anode. The electron concentration due to the ionization of negative ions is determined not by the temperature of the diode itself, but by the reduced temperature of the electron gas inside the aluminum due to overcoming the contact potential difference at the p-n junction. A sequential accumulation of negative electron charge occurs at the anode, which determines the conversion of the conduction current into a displacement current, since the electron energy in this case does not exceed the energy of the aluminum work function of the crystal. At the reverse applied voltage, the affinity energy of the negative ions of the impurity atoms at the anode remains the same due to the ionization of the negative ions, taking into account an increase in the temperature of the electron gas at the p-n junction with an increase in the displacement current. An electric conduction current arises from an aluminum crystal acting as a cathode inside a columnar void due to thermoautoelectronic emission. The conduction current at the anode is converted into a displacement current, which enters the external electrical wires. The inner walls of the columnar void are a good dielectric and therefore they sufficiently conduct displacement current inside the columnar void. The conduction current in this case acts as an amplifier of the resulting electric current.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/158643
View/Open
291-310.pdf (1.424Mb)
Collections
  • № 4[6]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us