Разработка методов управления характеристиками твердотельных сенсорных структур при высокоэнергетических внешних воздействиях

Abstract

Объектом исследования являлись методы управления характеристиками твердотельных фоточувствительных сенсорных структур при высокоэнергетических внешних воздействиях, характеризующихся широким изменением диапазона мощности и спектрального состава оптического излучения. Цель исследования – установление механизмов и закономерностей управления характеристиками твердотельных фоточувствительных сенсорных структур при высокоэнергетических внешних воздействиях, разработка методик моделирования характеристик твердотельных сенсорных структур на основе особенностей рекомбинационных процессов, определяемых перезаряд-кой примесных многозарядных глубоких энергетических уровней в полупроводниках с собственной проводимостью. В исследовании использовались методы математического моделирования взаимодействия тестирующего воздействия с энергиями близкими к порогу разрушения материала сенсорного элемента и элементарных приборных структур на базе испытуемых материалов. Результатом исследования явились новые сведения об установлении механизмов управления характеристиками твердотельных сенсорных структур на основе собственных полупроводников с глубокими примесями, формирующими многозарядные уровни. Определена роль глубоких многозарядных центров в закономерностях формирования измерительного сигнала в условиях высокоэнергетических внешних воздействиях.