Browsing Международные конференции by Author "Явид, В. Ю."

Now showing items 1-4 of 4

    • Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума 

      Буслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. (БНТУ, 2016)
      Анализ вольтамперных характеристик диодов-генераторов широкополосного шума / В. В. Буслюк [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 280-281.
      2017-03-27

    • Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2020)
      Анализ температурной зависимости коэффициента усиления биполярного n-p-n транзистора / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 323-324.
      2021-02-09

    • Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления 

      Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2019)
      Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального значения коэффициента усиления / В. Б. Оджаев [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 347-348.
      2020-01-03

    • Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов 

      Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2021)
      Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...
      2022-02-02