Свойства наноструктурированных покрытий TiAlCuN для терморезистивных датчиков
Another Title
Properties of nanostructured coatings of TiAlCuN for thermoresistive sensors
Bibliographic entry
Лобанок, М. В. Свойства наноструктурированных покрытий TiAlCuN для терморезистивных датчиков = Properties of nanostructured coatings of TiAlCuN for thermoresistive sensors / М. В. Лобанок, А. А. Михаленок, И. А. Романов // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 227-228.
Abstract
В работе проведено исследование электрофизических свойств покрытий Ti1-xAlxCuN, осажденных на кремнии и SiO2 методом реактивного магнетронного распыления из композитных мишеней с различным соотношением Al/Ti. Структура и компонентный состав пленок исследовались методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (ЭДРС). Электрофизические характеристики тонкопленочных покрытий Ti1-xAlxCuN на SiO2 измеряли четырехзондовым методом с помощью измерителя удельных сопротивлений (ИУС-3), а температурные зависимости сопротивления структур Ti1-xAlxCuN/SiO2 определяли двухзондовым методом с помощью измерителя параметров полупроводниковых приборов ИППП-6. Обнаружено, что структуры Ti1-xAlxCuN/SiO2 в диапазоне 0,33 ? x = Al/(Al+Ti) ? 0,62 имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и таким образом являются перспективными для разработки высокотемпературных термисторов с отрицательным ТКС.
Abstract in another language
The paper studies the electrophysical properties of Ti1-xAlxCuN coatings deposited on SiO2 by reactive magnetron sputtering from composite targets with different Al/Ti ratios. The structure and component composition of the films were studied by scanning electron microscopy (SEM) and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). The electrophysical characteristics of Ti1-xAlxCuN thin films coatings on SiO2 were measured by the four-probe method using a resistivity meter (IUS-3), and the temperature dependences of the resistance of Ti1-xAlxCuN / SiO2 structures were determined by the two-probe method using an IPPP 6 semiconductor device parameter meter. It was found that Ti1-xAlxCuN/SiO2 structures in the range of 0.33? x = Al/(Al+Ti) ? 0.65 have a negative temperature coefficient of resistance (TCR) and are thus promising for the development of high-temperature thermistors with negative TCR.