Генерационные характеристики кристалла коррунда с титаном при диодной накачке в спектральной области около 444 нм
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Laser performance of Ti:saphire crystal under diode pumping at 444nm spectral region
Abstract
Исследованы генерационные характеристики кристаллов Ti3+:Al2O3 при накачке излучением InGaN лазерного диода в спектральной области 444 нм. Измерены выходные характеристики излучателя: пороговые мощности накачки, эффективность генерации, зависимости выходной мощности лазера от мощности накачки, спектральные характеристики излучения.
item.page.description-other
The laser performance of Ti3+:Al2O3 crystal under pumping by InGaAs laser diode emitting at 444 nm was investigated. The laser output parameters were measured: laser threshold, slope efficiencies, dependencies of output power on pump power, spectral properties of laser radiation.
Description
Citation
Кисель, В. Э. Генерационные характеристики кристалла коррунда с титаном при диодной накачке в спектральной области около 444 нм = Laser performance of Ti:saphire crystal under diode pumping at 444nm spectral region / В. Э. Кисель, К. Н. Горбаченя, В. И. Гоман // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 345-346.