Моделирование влияния типа проводимости плавающего затвора на паразитное туннелирование в элементах флеш-памяти
Another Title
Simulation of effect of floating gate conductivity on a value of parasitic tunnel current in flash memory
Bibliographic entry
Жевняк, О. Г. Моделирование влияния типа проводимости плавающего затвора на паразитное туннелирование в элементах флеш-памяти = Simulation of effect of floating gate conductivity on a value of parasitic tunnel current in flash memory / О. Г. Жевняк // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 221-222.
Abstract
Методом Монте-Карло проведено моделирование переноса электронов в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающими затворами разных типов проводимости. Рассчитаны зависимости величины паразитного туннельного тока от координаты вдоль проводящего канала транзистора. Рассмотрено влияние на них уровня легирования плавающего затвора и показано, что эти зависимости имеют слабо выраженный U-образный вид.
Abstract in another language
Electron transport in silicon flash memory elements based on MOSFETs with floating gates with different type of conductivity is simulated by Monte Carlo method. The dependencies of value of parasitic tunnel current along the transistor’s channel are calculated. The effect of doping of floating gate on obtained dependencies is considered. It is shown that these dependencies have U-type behavior.