Continuous wave and passively q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers
Another Title
Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности
Bibliographic entry
Continuous wave and passively q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers = Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности / K. Gorbachenya, E. Volkova, V. Maltsev [и др.] // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 302-304.
Abstract
We demonstrate continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers emitting in the spectral range of 1.5–1.6 ?m. A maximal output power of 220 mW was obtained at 1568 nm at absorbed pump power of 2.3 W with the slope efficiency of 18 %. By using of MBE-grown Cr:ZnS thin layer as a saturable absorber laser pulses with duration of 24 ns and energy of 3 ?J at the repetition rate of 50 kHz were obtained at the wavelength of 1568 nm.
Abstract in another language
В работе продемонстрированы выходные характеристики микрочип лазеров на основе кристаллов Er,Yb:GdMgB5O10, работающих в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности в спектральной области 1,5–1,6 мкм. Максимальная выходная мощность 220 мВт получена на длине волны 1568 нм при поглощенной мощности накачки 2,3 Вт и дифференциальной эффективности 18 % непрерывном режиме генерации. При использовании тонкого слоя Cr:ZnS в качестве насыщающегося поглотителя реализован режим пассивной модуляции добротности, получены лазерные импульсы с длительностью 24 нс, энергий 3 мкДж и частотой следования 50 кГц на длине волны 1568 нм.