Show simple item record

dc.contributor.authorФилатов, С. А.ru
dc.contributor.authorКернасовский, Ю. М.ru
dc.contributor.authorТаратын, И. А.ru
dc.contributor.authorДолгих, М. Н.ru
dc.contributor.authorФилатова, О. С.ru
dc.contributor.authorБатырев, Е. В.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2025-02-05T12:16:38Z
dc.date.available2025-02-05T12:16:38Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.citationМЭМС датчик теплового потока с метаповерхностью = MEMS heat flow sensor with metasurface / С. А. Филатов, Ю. М. Кернасовский, И. А. Таратын [и др.] // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 417-418.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/153079
dc.description.abstractВ работе рассматриваются особенности создания датчиков теплового потока по МЭМС технологии с чувствительными термоэлектрическими элементами толщиной 20–80 нм (поликремний n- и p-типа, при этом каждая термопара состоит из контактирующих полосок поликремния p-типа и поликремния n-типа). на поверхности оптической мембраны толщиной до 200 нм, сформированной, как метаповерхность из повторяющихся проводящих структур на диэлектрической подложке, с метализированной поверхностью. Наличие селективного поглощения ИК-излучения метаповерхностью в центральной части датчика, где расположены «горячие» пары термопар обеспечивает высокую чувствительность датчика, образованного термоэлектрической батареей с «холодными» парами контактов на периферии датчика.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИнтегралполиграфru
dc.titleМЭМС датчик теплового потока с метаповерхностьюru
dc.title.alternativeMEMS heat flow sensor with metasurfaceru
dc.typeArticleru
local.description.annotationThe paper considers the features of creating heat flow sensors using MEMS technology with sensitive thermoelectric elements 20-80 nm thick (n- and p-type polysilicon, with each thermocouple consisting of contacting strips of p-type polysilicon and n-type polysilicon). on the surface of an optical membrane up to 200 nm thick, formed as a metasurface from repeating conductive structures on a dielectric substrate, with a metallized surface. The presence of selective absorption of IR radiation by the metasurface in the central part of the sensor, where the “hot” pairs of thermocouples are located, ensures high sensitivity of the sensor formed by a thermoelectric battery with “cold” pairs of contacts on the periphery of the sensor.ru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record