dc.contributor.author | Корякин, С. В. | ru |
dc.contributor.author | Михаленок, Е. В. | ru |
dc.contributor.author | Дубовик, И. Н. | ru |
dc.contributor.author | Гайко, М. И. | ru |
dc.contributor.author | Серокурова, А. И. | ru |
dc.coverage.spatial | Минск | ru |
dc.date.accessioned | 2025-02-05T12:16:37Z | |
dc.date.available | 2025-02-05T12:16:37Z | |
dc.date.issued | 2024 | |
dc.identifier.citation | Исследование влияния состава полировальной суспензии на процесс химико-механического полирования подложек SiC = Investigation of the effect of the composition of the polishing suspension on the process of chemical-mechanical polishing of SiC wafers / С. В. Корякин, Е. В. Михаленок, И. Н. Дубовик [и др.] // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 229-230. | ru |
dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/153076 | |
dc.description.abstract | В работе рассмотрен вопрос влияния состава полировальной суспензии на ХМП поверхности пластин 4H-SiC. Показано, что использование сильных окислителей в составе коллоидной суспензии позволяют увеличить эффективность обработки и улучшения качество обработки поверхности пластин 4H-SiC. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Интегралполиграф | ru |
dc.title | Исследование влияния состава полировальной суспензии на процесс химико-механического полирования подложек SiC | ru |
dc.title.alternative | Investigation of the effect of the composition of the polishing suspension on the process of chemical-mechanical polishing of SiC wafers | ru |
dc.type | Article | ru |
local.description.annotation | The article considers the effect of the composition of the polishing suspension on the process of chemical-mechanical polishing of the surface of 4H-SiC wafers. It is shown that the use of strong oxidizing agents in the composition of a colloidal suspension can increase the processing efficiency and improve the surface treatment quality of 4H-SiC wafers. | ru |