Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора

Authors
Date
2024Publisher
Another Title
Multi-parametric sensors based on field phototransistor
Bibliographic entry
Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора = Multi-parametric sensors based on field phototransistor / К. Л. Тявловский, Р. И. Воробей, О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 98-100.
Abstract
Описана структура и основные характеристики мультипараметрического сенсора на основе полевого фототранзистора. Применение полупроводников с многозарядной примесью позволяет реализовать качественно новые преобразовательные характеристики.
Abstract in another language
The structure and basic characteristics of the multi-parametric sensors based on field phototransistor are described. The use of semiconductors with a multi-charged admixture allows you to realize a qualitatively new composition of the transformative characteristics.