Моделирование флуктуаций плотности тока в кремниевой диодной структуре с учетом процессов генерации-рекомбинации электронов
Another Title
Simulation of current density fluctuations in silicon diode structure with account of electron generation-recombination processes
Bibliographic entry
Моделирование флуктуаций плотности тока в кремниевой диодной структуре с учетом процессов генерации-рекомбинации электронов = Simulation of current density fluctuations in silicon diode structure with account of electron generation-recombination processes / А. В. Борздов, В. М. Борздов, Д. Н. Буйновский, А. Н. Петлицкий // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 203-204.
Abstract
Многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование флуктуаций плотности тока в кремниевой диодной n+-n-n+-структуре при постоянном напряжении на электродах с учетом процессов генерации-рекомбинации электронов через ловушки. Процессы генерации-рекомбинации включены в процедуру моделирования в качестве дополнительного механизма рассеяния. Времена генерации и рекомбинации электронов рассмотрены в качестве параметров. Рассчитана зависимость времени корреляции токовых флуктуаций от времени генерации при температуре кристаллической решетки 300 К.
Abstract in another language
Ensemble Monte Carlo simulation of current density fluctuations in silicon n+-n-n+-diode structure has been performed for constant applied voltage with account of electron generation-recombination processes via traps. Generation-recombination processes have been included in the simulation procedure as an additional scattering mechanism assuming electron generation and recombination times as parameters. The dependence of current fluctuations correlation time versus the generation time has been calculated for the lattice temperature of 300 K.