Browsing Машиностроение by Author "Гулай, В. А."

Now showing items 1-8 of 8

    • Инновационные решения в создании интеллектуальных сенсорных систем для точного земледелия 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Полынкова, Е. В.; Гулай, В. А. (БНТУ, 2010)
      Предложен ряд конструктивных, схемотехнических и программных решений в создании интеллектуальных сенсорных систем для реализации технологий точного земледелия. Проанализированы методологические проблемы использования интеллектуальных сенсорных систем и результатов интеллектного сенсорного мониторинга почвы на разных этапах сельскохозяйственного производства. Определены задачи и ...
      2020-03-16

    • Интеллектуальные сенсорные системы в машиностроении для технологии точного земледелия 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Полынкова, Е. В.; Гулай, В. А. (БНТУ, 2012)
      Разработана интеллектуальная сенсорная система для точного земледелия на основе светоцветового контроля почвы и определения параметров ее качества. Определены зависимости коэффициентов яркости отражающей поверхности от длины волны оптического излучения.
      2020-02-28

    • Моделирование баллистического квантового наносенсора для контроля высокоскоростных космических микрочастиц 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Гулай, В. А.; Ульянко, В. Б. (БНТУ, 2010)
      Выполнено моделирование чувствительных к микроудару сенсорных наноструктур типа металл-диэлектрик-металл (МДМ) на основе сверхтонких диэлектрических пленок. Определены параметры баллистического квантового МДМ-наносенсора для орбитального контроля высокоскоростных техногенных и метеороидных микрочастиц. Установлены зависимости проводимости МДМ-наноструктуры от физико-механических ...
      2020-03-16

    • Моделирование инвариантных микро-нанотехнологий сенсорики 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Гулай, В. А.; Полынкова, Е. В. (БНТУ, 2009)
      Рассмотрены особенности инвариантных микро-нанотехнологий сенсорики и методы их кибернетического моделирования. Исследована технологическая инвариантность процесса формирования туннельных сенсорных наноструктур металл-диэлектрик-металл. Показано, что достижение инвариантности МДМ-наноструктур возможно при выполнении их на основе тонких ВТСП-пленок. Разработан способ получения ...
      2020-03-20

    • Моделирование негатронных сенсорных элементов на основе туннельных МДМ-наноструктур 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Гулай, В. А. (БНТУ, 2009)
      Рассмотрены особенности туннельных МДМ-наноструктур при использовании их в качестве чувствительных элементов негатронных сенсорных систем. Проанализированы условия возбуждения автоколебаний в электрических схемах, содержащих МДМ-наноструктуры. Исследована зависимость частоты возбуждаемых автоколебаний от параметров негатронных сенсорных систем на основе туннельных МДМ-наноструктур.
      2020-03-20

    • Моделирование токопереноса в туннельных сенсорных МДМ-наноструктурах 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Гулай, В. А. (БНТУ, 2007)
      Колешко, В. М. Моделирование токопереноса в туннельных сенсорных МДМ-наноструктурах / В. М. Колешко, А. В. Гулай, В. А. Гулай // Машиностроение : республиканский межведомственный сборник научных трудов / Белорусский национальный технический университет ; под ред. Б. М. Хрусталева. – Минск : БНТУ, 2007. – Вып. 23. – С. 332-336.
      2020-03-31

    • Самоорганизация поверхностных явлений при электронной обработке: акустический сенсорный контроль 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Гулай, В. А. (БНТУ, 2012)
      Разработан способ контроля процессов самоорганизации в зоне электронной обработки по спектру акустических колебаний. Исследован режим приема шумоподобных акустических колебаний плоским пьезоэлектрическим сенсором. Выполнен контроль параметров широкополосных колебаний в образце при электронно-лучевой обработке. Установлена корреляция изменения амплитуды акустических колебаний с ...
      2020-02-28

    • Сенсорные материалы на основе редкоземельных оксидов: моделирование электронных свойств 

      Колешко, В. М.; Гулай, А. В.; Лысковский, В. В.; Гулай, В. А.; Крупская, Е. В.; Левченко, Н. В. (БНТУ, 2012)
      Выполнено моделирование атомно-структурных и электронных свойств редкоземельных оксидов как активных материалов сенсорных наносистем. Исследована электронная плотность, а также рассчитана зонная структура для оксидов самария и гольмия. Определена спиновая поляризация носителей заряда вблизи уровня Ферми, которая, например, для оксида самария составляет 48,72%.
      2020-02-28