Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2023
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2023
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Синтез полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Thumbnail
Authors
Сычик, В. А.
Глухманчук, В. В.
Уласюк, Н. Н.
Date
2023
Publisher
БНТУ
Another Title
Synthesis of semiconductor solar energy converter
Bibliographic entry
Сычик, В. А. Синтез полупроводникового преобразователя солнечной энергии = Synthesis of semiconductor solar energy converter / В. А. Сычик, В. В. Глухманчук, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 85-87.
Abstract
Предложен метод синтеза структуры полупроводникового преобразователя солнечной энергии в электрическую, при котором изготавливают диэлектрическую подложку с синусоидальным периодическим профилем поверхности, формируют на этой поверхности первый омический контакт и последовательно наносят на образовавшуюся структуру сильнолегированный p+-слой из одного широкозонного полупроводника, затем наносят на p+-слой электропроводящий просветляющий слой, по периметру которого формируют второй омический металлический контакт.
Abstract in another language
A method has been proposed for synthesizing the structure of a semiconductor converter of solar energy into electrical energy, in which a dielectric substrate with a sinusoidal periodic surface profile is manufactured, the first ohmic contact is formed on this surface and a heavily doped p+-layer from one wide-gap semiconductor is sequentially applied to the resulting structure, then applied to the p+-layer an electrically conductive antireflection layer, along the perimeter of which a second ohmic metal contact is formed.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/138642
View/Open
85-87.pdf (410.0Kb)
Collections
  • Материалы конференции по статьям[224]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us