Измерение динамических параметров полупроводниковых приборов
Another Title
Measurement of dynamic parameters of semiconductor devices
Bibliographic entry
Лисенков, Б. Н. Измерение динамических параметров полупроводниковых приборов = Measurement of dynamic parameters of semiconductor devices / Б. Н. Лисенков // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 58-60.
Abstract
Изготовлен макет устройства, который обеспечивает измерение динамических параметров силовых МОП, IGBT, БТ транзисторов и характеристики восстановления силовых диодов.
Abstract in another language
A prototype of the device has been made, which provides measurement of the dynamic parameters of power MOS, IGBT, BT transistors and recovery characteristics of power diodes.