Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти
Another Title
Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements
Bibliographic entry
Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти = Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements / О. Г. Жевняк, А. В. Борздов, В. М. Борздов // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 226-227.
Abstract
В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе функционирования современных элементов флеш-памяти, рассмотрено влияние ряда конструктивно-технологических параметров данных транзисторов на величину паразитных токов, проникающих на плавающий затвор. Показано, что с уменьшением длины проводящего канала, а также глубины залегания истоковой и стоковой областей величина этого тока увеличивается, что необходимо учитывать при проектировании перспективных элементов флеш-памяти.
Abstract in another language
In present paper the effects of constructive parameters on parasitic tunnel current in short-channel MOSFETs with floating gate are studied by Monte Carlo simulation of electron transport. Such transistors are the base of contemporary flash-memory cells. Obtained data show that parasitic current is increased as result of the decreasing of channel length as well as drain region depth.