Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками
Another Title
Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams
Bibliographic entry
Гацкевич, Е. И. Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками = Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams / Е. И. Гацкевич // Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15-17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 211-212.
Abstract
Исследовано уравнение теплопроводности, описывающее релаксацию температурного поля, инициируемого облучением полупроводниковых структур интерферирующими пучками импульсного лазера. Найдено аналитическое решение уравнения теплопроводности с периодическим источником, связанным с передачей энергии от электронной подсистемы фононам. Проанализировано влияние релаксационных процессов на фононную температуру.
Abstract in another language
The thermal conductivity equation describing the relaxation of the temperature field initiated by irradiation of semiconductor structures with interfering beams of a pulsed laser has been studied. An analytical solution of the heat equation with a periodic source associated with the transfer of energy from the electronic subsystem to phonons is found. The influence of relaxation processes on the phonon temperature is analysed.