Si <N> типли яримўтказгичларда гетероструктуралар юзага келадиганда электронларни кўчишлардаги қатламларни ҳосил қилиш
Bibliographic entry
Si <N> типли яримўтказгичларда гетероструктуралар юзага келадиганда электронларни кўчишлардаги қатламларни ҳосил қилиш / O. O. Маматкаримов [et al.] // Научные основы использования информационных технологий нового уровня и современные проблемы автоматизации : сборник трудов I Международной научной конференции, 25-26 апреля 2022 года / Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова ; Белорусский национальный технический университет ; Белорусско-узбекский совместный межотраслевой институт прикладных технических квалификаций в городе Ташкент ; Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека ; ред. А. М. Хусейнов. – Ташкент : Университет, 2022. – С. 229-238.
Abstract
Vodorod atomlari barqaror Si-H hosil qila oladigan 3500 C haroratda silikon bog'lanishi o'zaro ta'siri tufaylidir. Yupqa plyonkalardagi nuqsonlarni passivatsiya qilish ya‘ni metal yuzasini nuqsonlar korroziyasidan himoyalash uchundir. Ularning shakllanishi energetik jihatdan qulay, chunki kompleksning umumiy energiyasi H2 umumiy energiyasidan 1,2 eV kamroq ajratilgan neytral vodorod atomlari difuziyalanib o‘zini o‘zi tutib olishi kuzatiladi. Eng oddiy nuqsonlarni yumshatish, osilgan bog'lanishlarni tiklash bilan birga keladi va vodorodning bog'langan holatidan chiqishi ko‘rsatib o‘tiladi. Si-H bog'lanishning uzilish energiyasini taxminan 1,8 eV ekanini tashkil qiladi va atom vodorodining diffuziya energiyasi taxminan 0,48 eV ni tashkil qiladi