Технология получения и исследование характеристик тонких пленок оксидов цинка и гетероструктур на их основе
Date
2022Publisher
Another Title
Technology for obtaining and studying the characteristics of thin films of zinc oxides and heterostructures based on them
Bibliographic entry
Технология получения и исследование характеристик тонких пленок оксидов цинка и гетероструктур на их основе = Technology for obtaining and studying the characteristics of thin films of zinc oxides and heterostructures based on them / В. А. Лапицкая [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 449-450.
Abstract
Сегодня ученые в ведущих мировых исследовательских центрах получают тонкие слои на основе полупроводниковых монокристаллических подложек, совершенствует технологии получения, определяют их оптимальны условия, исследуют структурные и уникальные физические свойства полученных тонких слоев и ведут научные исследования, расширяют спектры поглощения света гетероструктур, чувствительных к газу, температуре и давлению, работают над созданием электронных устройств. В работе обсуждаются результаты исследования гетероструктур на основе оксидов цинка, полученных методом вакуумного испарения.
Abstract in another language
Today, scientists in the world's leading research centres produce thin layers based on semiconductor singlecrystal substrates, improve production technologies, determine their optimal conditions, I vestigate the structural and unique physical properties of the resulting thin layers and conduct scientific research, expand the light absorption spectra of heterostructures sensitive to gas, temperature and pressure, work on creating electronic devices. The paper discusses the results of the study of heterostructures based on zinc oxides obtained by vacuum evaporation. Keywords: semiconductor substrate, zinc oxide, heterostructure.