Математическая модель процесса определения плотности поверхностных состояний
Another Title
Mathematical model of the process of determining the density of surface states
Bibliographic entry
Математическая модель процесса определения плотности поверхностных состояний = Mathematical model of the process of determining the density of surface states / Н. Ю. Шарибаев [и др.] // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 443-444.
Abstract
Вероятности опустошения поверхностных состояний зависят от времени и от природы самого центра. Для определения плотности поверхностных состояний приводится сравнение функции вероятности опустошения энергетического уровня 𝜌 (t, E, T) со ступенчатой функцией Ферми-Дирака. Исследуется производная от функции 𝜌 (t, E, T) по энергии, и сравнивается дельта – функцией Дирака. Показано, что производная от вероятности опустошения энергетического уровня по энергии GN (E0, E, T) при низких температурах превращается в дельта – функцию Дирака. Использование этого факта дало возможность предложить математическую модель определения плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник – диэлектрик в приборах с зарядовой связью ПЗС.
Abstract in another language
The probabilities of emptying surface states depend on time and on the nature of the center itself. To determine the density of surface states, the comparison of the energy level depletion probability function ρ(t,E,T) with the Fermi-Dirac step function is given. The derivative of the function ρ(t,E,Т) with respect to energy is investigated and compared with the Dirac delta function. It is shown that the derivative of the probability of depletion of the energy level with respect to energy GN(E0,E,T) at low temperatures turns into a Dirac delta function. The use of this fact made it possible to propose a mathematical model for determining the density of surface states at the semiconductor-dielectric interface in CCD devices with charge-coupling.