Определение времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом с использованием лазерной интерферометрии
Another Title
Determination of the end time of the plasma-chemical etching of p-GaN and AlGaN layers of the p-GaN/AlGaN/GaN heterostructure with two-dimensional electron gas using laser interferometry
Bibliographic entry
Юник, А. Д. Определение времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом с использованием лазерной интерферометрии = Determination of the end time of the plasma-chemical etching of p-GaN and AlGaN layers of the p-GaN/AlGaN/GaN heterostructure with two-dimensional electron gas using laser interferometry / А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв, А. Г. Шидловский // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 282-284.
Abstract
Методом лазерной интерферометрии и сканирующей электронной микроскопии установлены закономерности изменения во времени интенсивности отраженного сигнала, регистрируемого детектором лазерного интерферометра с рабочей частотой 670 нм, в процессе реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере Cl2/N2/O2 слоев p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN. Установлено, что при переходе границы раздела p-GaN/AlGaN и AlGaN/GaN наблюдается скачкообразное изменение интенсивности отраженного сигнала в пределах 2,7–9,5 % в течение 20–40 с, обусловленное изменениями концентрации алюминия, показателей преломления и скорости травления на границах раздела. Полученные результаты позволяют с помощью лазерной интерферометрии в реальном масштабе времени опреде- лять время окончания процесса реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме слоев AlGaN и p-GaN в гетероструктурах типа p-GaN/AlGaN/GaN c двумерным электронным газом.
Abstract in another language
Regularities of the changing in time of the intensity of the reflected signal recorded by the detector of the laser interferometer with an operating frequency of 670 nm during the inductively coupled plasma reactive ion etching in a Cl2/N2/O2 atmosphere of p-GaN and AlGaN in p-GaN/AlGaN/GaN heterostructures has been established by laser interferometry and scanning electron microscopy methods. It has been established that during the crossing of the p-GaN/AlGaN and AlGaN/GaN interface, there is an abrupt change in the intensity of the reflected signal within 2,7–9,5 % for 20–40 s, due to changes in the aluminum concentration, refractive indices, and etching rate at the interfaces. The obtained makes it possible to determine the end time of the inductively coupled plasma reactive ion etching of the AlGaN and p-GaN layers using laser interferometry in real time in p-GaN/AlGaN/GaN heterostructures with two-dimensional electron gas.