Моделирование методом Монте-Карло влияния рассеяния на фононах и ионах примеси на подвижность электронов в элементах флеш-памяти
Another Title
Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements
Bibliographic entry
Жевняк, О. Г. Моделирование методом Монте-Карло влияния рассеяния на фононах и ионах примеси на подвижность электронов в элементах флеш-памяти = Monte Carlo simulation of effect of phonon’s and ion’s scatterings on electron mobility in flash memory elements / О. Г. Жевняк // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 251-252.
Abstract
На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором с учетом и без учета рассеяния на фононах и ионах примеси. Полученные результаты показывают, что в этих структурах на подвижность электронов наиболее существенное влияние оказывают фононные механизмы рассеяния.
Abstract in another language
На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти на основе МОП-транзисторов с плавающим затвором с учетом и без учета рассеяния на фононах и ионах примеси. Полученные результаты показывают, что в этих структурах на подвижность электронов наиболее существенное влияние оказывают фононные механизмы рассеяния.