Анализ воздействия фононных потоков на полупроводниковые приборные структуры
Another Title
Analysis of the effect of phonon flows on semiconductor device structures
Bibliographic entry
Мальцев, А. Г. Анализ воздействия фононных потоков на полупроводниковые приборные структуры = Analysis of the effect of phonon flows on semiconductor device structures / А. Г. Мальцев, В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение-2022 : материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16-18 ноября 2022 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 76-77.
Abstract
Исследовано воздействие фононных потоков на полупроводниковые приборные структуры. Отмечено, что эффекты, обусловленные воздействием излучаемых электроаппаратурой фононов на полупроводниковые приборные структуры преобразователей, практически не изменяют их электрофизические свойства.
Abstract in another language
The effect of phonon fluxes on semiconductor device structures has been studied. It is noted that the effects caused by the action of phonons emitted by electrical equipment on semiconductor device structures of converters practically do not change their electrophysical properties. Key words: semiconductor device structures, phonon flows, optical radiation converter, phonon-phonon interaction, monatomic semiconductors.