Исследование сфераобразных наноструктур, сформированных в объеме пластин монокристаллического кремния
Another Title
Study of the sphere of shaped nanostructures formed in the volume of monocrystal silicon plates
Bibliographic entry
Францкевич, А. В. Исследование сфераобразных наноструктур, сформированных в объеме пластин монокристаллического кремния = Study of the sphere of shaped nanostructures formed in the volume of monocrystal silicon plates / А. В. Францкевич, Н. В. Францкевич, В. А. Мартинович // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 361-363.
Abstract
Основная идея представляемой работы – исследовать условия получения и свойства сфера образных наноструктур, формируемых в объеме пластин монокристаллического кремния. Стандартные пластины Cz-Si, n типа имплантировались ионами водорода при разных температурах и разными дозами. Формирование объемных наноструктур, происходило в результате обработки образцов в DC плазме водорода, при температуре не выше 300 0С. Полученные структуры исследовались методами СЭМ и комбинационного рассеяния. СЭМ-исследование проводилось как в режиме вторичных электронов (SE), так и в режиме поверхностно-индуцированного потенциала (SEBIV). Исследования показали, что в приповерхностном слое кремниевых пластин формируются сфера образные (пузырьковые) наноструктуры. Данные комбинационного рассеяния позволяют предположить о накоплении, в полученных структурах, газообразного водорода.
Abstract in another language
The main idea of this work is to investigate the conditions for the preparation and properties of sphere-shaped nanostructures formed in the bulk of single-crystal silicon wafers. Standard Cz-Si, n type plates were implanted with hydrogen ions at different temperatures and different doses. The formation of bulk nanostructures occurred as a result of processing the samples in DC hydrogen plasma at a temperature not higher than 300 oС. The resulting structures were investigated by SEM and Raman scattering methods. The SEM study was carried out both in the secondary electron (SE) mode and in the surface-induced potential (SEBIV) mode. Studies have shown that sphere-shaped (bubble) nanostructures are formed in the near-surface layer of silicon wafers. Raman scattering data suggest the accumulation of hydrogen gas in the resulting structures.