Белорусский национальный технический университет
Repository of the Belarusian National Technical University
ISSN: 2310-7405
Repository of the Belarusian National Technical University
View Item 
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2021
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
  •   Repository BNTU
  • Материалы конференций и семинаров
  • Международные и республиканские конференции
  • Приборостроение
  • Приборостроение-2021
  • Материалы конференции по статьям
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Исследование электрических свойств пленок антимонида индия (InSb), облученных гамма-квантами

Thumbnail
Authors
Колесникова, Е. А.
Углов, В. В.
Тетеруков, Е. В.
Date
2021
Publisher
БНТУ
Another Title
Investigation of the electric properties of indium antimonide films (InSb) irradiated by gamma rays
Bibliographic entry
Колесникова, Е. А. Исследование электрических свойств пленок антимонида индия (InSb), облученных гамма-квантами = Investigation of the electric properties of indium antimonide films (InSb) irradiated by gamma rays / Е. А. Колесникова, В. В. Углов, Е. В. Тетеруков // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 288-289.
Abstract
В работе представлены исследования влияния облучения гамма-квантами Со60 с экспозиционной дозой не менее 1015−1016 кв./см2 на удельное электросопротивление гетероэпитаксиальных пленок InSb, сформированных методом взрывного термического испарения. Условия облучения являются имитацией радиационного воздействия на околоземной орбите с поглощенной дозой не менее 2·(106−107) рад. Проведенные исследования показали, что в результате облучения удельное сопротивление пленок InSb не изменяется, что свидетельствует о высокой стойкости гетероэпитаксиальных пленок InSb и устройств на их основе к заданным радиационным воздействиям.
Abstract in another language
In this work, presents a study of the effect of irradiation with Co60 γ−irradiation with an exposure dose of at least 1015−1016 cm-2 on the electrical resistivity of heteroepitaxial InSb films formed by explosive thermal evaporation. The irradiation conditions are imitation of radiation exposure in Earth orbit with an absorbed dose of at least 2·(106−107) rad. The studies carried out have shown that, as a result of irradiation, the electrical resistivity of InSb films does not change, which indicates a high resistant of heteroepitaxial InSb films and devices based on them to the specified radiation effects.
URI
https://rep.bntu.by/handle/data/109543
View/Open
288-289.pdf (287.7Kb)
Collections
  • Материалы конференции по статьям[230]
Show full item record
CORE Recommender

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
 

Browse

All of Repository BNTUCommunities & CollectionsAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateTypeThis CollectionAuthorsTitlesBy Issue DatePublisherBy Submit DateType

My Account

LoginRegister

Belarusian National Technical University | Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us
Яндекс.МетрикаIP Geolocation by DB-IP
Science Library | About Repository | Размещение в Репозитории | Contact Us