Browsing by Author "Яржембицкая, Н. В."
Now showing items 1-20 of 41
-
Алгоритм определения метрологических характеристик широкодиапазонных фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей с многозарядными примесями
(БНТУ, 2011)Исследованы метрологические особенности фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) на основе полупроводников с многозарядными примесями в широком диапазоне плотностей мощности оптического излучения, обусловленные процессами нелинейной рекомбинации. Предложен алгоритм процедуры определения метрологических характеристик таких ФЭПП не только при малых плотностях ...2012-03-27 -
Анализ методов расширения динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП)
(БНТУ, 2016)Адамович, А. Р. Анализ методов расширения динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) / А. Р. Адамович, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ...2016-09-12 -
Изготовить лабораторный макет установки измерения электростатических потенциалов композиционных материалов и разработать методику проведения испытаний экспериментальных образцов
(2010)Объектом исследования являлись схемотехнические и конструктивные решения установки измерения электростатического потенциала и методы формирования восстановленных изображений пространственного распределения электрического потенциала поверхности, методики измерений параметров пространственного распределения электрического потенциала поверхности. Целью исследования являлось обоснование ...2012-06-13 -
Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда
(БНТУ, 2009)Селянтьев, В. А. Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда / В. А. Селянтьев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 87.2022-10-26 -
Измерительный преобразователь длины волны и плотности мощности в двумерном пространственном распределении оптического излучения
(2012)Объектом исследования является фотоэлектрический измерительный преобразователь длины волны и плотности мощности на основе двухбарьерной структуры в двумерном пространственном распределении оптического излучения. Целью работы является разработка и реализация физических принципов построения первичных измерительных преобразователей длины волны и плотности мощности двумерного потока ...2012-08-29 -
ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света
(БНТУ, 2008)Гусев, О. К. ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. ...2021-08-26 -
Инжекционная зависимость подвижности носителей заряда при перезарядке глубоких примесей
(БНТУ, 2009)Шадурская, Л. И. Инжекционная зависимость подвижности носителей заряда при перезарядке глубоких примесей / Л. И. Шадурская, А. А. Юнчик, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Седьмой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. ...2021-09-30 -
Исследование структурных превращений поверхностного слоя после высокоэнергетического воздействия методом сканирующего зонда Кельвина и разработка методов и средств оценки физико-механического состояния поверхности
(2010)Объектом исследования в данной работе является поверхность образцов после высокоэнергетического воздействия. Цель работы - исследование структурных превращений поверхностного слоя после высокоэнергетического воздействия методом сканирующего зонда Кельвина и разработка методов и средств оценки физико-механического состояния поверхности. Исследования проводили на пластинчатых ...2012-06-12 -
Калибровка волоконно-оптических сенсоров с использованием двухбарьерных фотодетекторов
(Научтехлитиздат, 2010)Рассмотрены вопросы применения двухбарьерных фотодетекторов в схемах калибровки волоконно-оптических сенсоров непосредственно в процессе измерения. Предложены схемы калибровки с использованием широкополосного и двухволнового источников оптического излучения. Рассмотрена модель составляющих погрешности волоконно-оптического сенсора. Применение двухбарьерного фотодетектора в схеме ...2016-02-29 -
Классификация изменений фотоэлектрического усиления фотопроводящих структур в сильных электрических полях
(БНТУ, 2015)Гусев, О. К. Классификация изменений фотоэлектрического усиления фотопроводящих структур в сильных электрических полях / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 2. - С. 169.2016-03-04 -
Комплексное исследование тестовых приборных структур в условиях многофакторных физических воздействий различной природы
(БНТУ, 2014)Свистун, А. И. Комплексное исследование тестовых приборных структур в условиях многофакторных физических воздействий различной природы / А. И. Свистун, К. Л. Тявловский, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 2. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 184.2015-01-14 -
Математическое моделирование характеристик координатных парафазных фотоприемников
(БНТУ, 2004)В работе рассматриваются фотоэлектрические характеристики парафазных фотоприемников (ПФ) на основе структуры металл-полупроводник-металл или гетероперехода.2020-10-01 -
Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов
(БНТУ, 2005)Шадурская, Л. И. Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов / Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Теоретическая и прикладная механика : международный научно-технический сборник. – Вып. 18. – 2005. – С. 178-183.2016-10-20 -
Моделирование динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями акцепторной природы
(БНТУ, 2015)Комлева, И. А. Моделирование динамического диапазона фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями акцепторной природы / И. А. Комлева, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. ...2022-08-24 -
Модель измерения характеристик фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями с учетом нелинейной рекомбинации неравновесных носителей заряда
(БНТУ, 2015)Качан, Р. Ф. Модель измерения характеристик фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) с многозарядными примесями с учетом нелинейной рекомбинации неравновесных носителей заряда / Р. Ф. Качан, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. ...2022-08-24 -
Модернизация одно- и двухканальных оптико-электронных приборов и методов измерений с использованием парафазных фотодетекторов
(БНТУ, 2004)Гусев, О. К. Модернизация одно- и двухканальных оптико-электронных приборов и методов измерений с использованием парафазных фотодетекторов / О. К. Гусев, А. И. Свистун, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Второй международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. ...2021-10-15 -
Неадлитивная фотопроводимость в полупроводниках с глубокими примесями
(БНТУ, 2011)Неадлитивная фотопроводимость в полупроводниках с глубокими примесями / О. К. Гусев [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Девятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2011. – Т. 2. – С. 170.2021-06-04 -
Немонотонный профиль потенциала в диодах шоттки с компенсированным многозарядными примесями приповерхностным слоем
(БНТУ, 2016)Комлева, И. А. Немонотонный профиль потенциала в диодах шоттки с компенсированным многозарядными примесями приповерхностным слоем / И. А. Комлева, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический ...2016-09-12 -
Оптическое гашение фотоэдс в поверхностно-барьерных диодах на основе кремния p-типа
(БНТУ, 2015)Гусев, О. К. Оптическое гашение фотоэдс в поверхностно-барьерных диодах на основе кремния p-типа / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 2. - С. 168.2016-03-04 -
Особенности инжекционных зависимостей времени жизни основных носителей заряда в полупроводниках с двумя видами рекомбинационных уровней
(БНТУ, 2016)Гусев, О. К. Особенности инжекционных зависимостей времени жизни основных носителей заряда в полупроводниках с двумя видами рекомбинационных уровней / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 2. - С. 204.2017-04-03
