Browsing by Author "Шадурская, Л. И."
Now showing items 1-20 of 95
-
Алгоритм определения метрологических характеристик широкодиапазонных фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей с многозарядными примесями
Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2011)Исследованы метрологические особенности фотоэлектрических полупроводниковых преобразователей (ФЭПП) на основе полупроводников с многозарядными примесями в широком диапазоне плотностей мощности оптического излучения, обусловленные процессами нелинейной рекомбинации. Предложен алгоритм процедуры определения метрологических характеристик таких ФЭПП не только при малых плотностях ...2012-03-27 -
Анализ процессов в диодных структурах при механических и температурных воздействиях применительно к созданию датчиков давления и температуры
Василевич, Т. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2015)Василевич, Т. А. Анализ процессов в диодных структурах при механических и температурных воздействиях применительно к созданию датчиков давления и температуры / Т. А. Василевич, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 24.2022-08-24 -
Базовые измерительные преобразователи дистанционных методов контроля на основе широкодиапазонных одноэлементных фотоприемников
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Жуковский, П.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2019)Базовые измерительные преобразователи дистанционных методов контроля на основе широкодиапазонных одноэлементных фотоприемников / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 51-53.2020-01-03 -
Бесконтактное измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах
Тиханович, Н. Э.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2012)Тиханович, Н. Э. Бесконтактное измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах / Н. Э. Тиханович, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 49.2022-09-22 -
Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании
Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2023)Предлагается комбинированный способ легирования эпитаксиального слоя в процессе его выращивания, заключающийся в введении дополнительной примеси. По отношению к свойствам основной примеси дополнительная примесь должна вызывать противоположное по знаку изменение периода решетки матрицы. Использование комбинированного легирования уменьшает напряжение несоответствия периодов решетки ...2023-12-21 -
Влияние плотности мощности лазерного излучения на удельное сопротивление эпитаксиальных структур кремния
Боярщонок, Е. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2018)Боярщонок, Е. В. Влияние плотности мощности лазерного излучения на удельное сопротивление эпитаксиальных структур кремния / Е. В. Боярщонок, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 16.2018-08-04 -
Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов
Гамезо, А. А.; Ананьева, И. Р.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2016)Гамезо, А. А. Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников и p–n переходов / А. А. Гамезо, И. Р. Ананьева, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: ...2016-09-12 -
Газоразрядная технология создания парогазовых смесей для легирования эпитаксиальных слоев кремния
Боярщонок, Е. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2017)Боярщонок, Е. В. Газоразрядная технология создания парогазовых смесей для легирования эпитаксиальных слоев кремния / Е. В. Боярщонок // Новые направления развития приборостроения : материалы 10-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 26−28 апреля 2017 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев ...2017-06-19 -
Газоразрядная эпитаксия кремниевых структур
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Свистун, А. И. (БНТУ, 2020)Газоразрядная эпитаксия кремниевых структур / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 101-103.2021-02-09 -
Генерационно-рекомбинационный шум в фотодетекторах на основе полупроводников с многозарядными примесями и дефектами
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В (БНТУ, 2012)Гусев, О. К. Генерационно-рекомбинационный шум в фотодетекторах на основе полупроводников с многозарядными примесями и дефектами / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. ВЯржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Десятой международной научно-технической конференции : в 4 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. ...2021-05-20 -
Геттерирование эпитаксиальных структур редкоземельными элементами
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Русакевич, Д. А. (БНТУ, 2017)Геттерирование эпитаксиальных структур редкоземельными элементами / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 73-74.2018-02-01 -
Дефекты эпитаксиальных структур кремния, связанные с условием проведения процесса газофазной эпитаксии
Фолынсков, Д. И.; Тихоновец, Е. С.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2019)Фолынсков, Д. И. Дефекты эпитаксиальных структур кремния, связанные с условием проведения процесса газофазной эпитаксии / Д. И. Фолынсков, Е. С. Тихоновец, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; ...2019-08-26 -
Зависимость дефектности эпитаксиального слоя от способа его легирования
Климко, В. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2020)Климко, В. В. Зависимость дефектности эпитаксиального слоя от способа его легирования / В. В. Климко, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 13-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 15−17 апреля 2020 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск ...2020-06-24 -
Зависимость уровня легирования эпитаксиальных структур кремния от параметров тлеющего разряда
Боярщонок, Е. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2018)Боярщонок, Е. В. Зависимость уровня легирования эпитаксиальных структур кремния от параметров тлеющего разряда / Е. В. Боярщонок, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 15.2018-08-04 -
Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда
Селянтьев, В. А.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2009)Селянтьев, В. А. Измерительная система для определения времени жизни носителей заряда / В. А. Селянтьев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 87.2022-10-26 -
Измерительные преобразователи на базе фотоприемников с собственной проводимостью
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Самарина, А. В. (БНТУ, 2020)Измерительные преобразователи на базе фотоприемников с собственной проводимостью / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 118-119.2021-02-09 -
Измерительные преобразователи систем оптической диагностики с многофункциональными одноэлементными фотоприемниками
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2018)Современные измерительные преобразователи систем оптической диагностики должны автоматически оценивать параметры оптического сигнала и переключаться между различными диапазонами энергетической и спектральной характеристиками чувствительности. Это требует применения нескольких фотоприемников, сложных оптических схем и сложных алгоритмов обработки измерительных сигналов. Целью ...2018-09-18 -
Измерительные преобразователи систем оптической диагностики с совмещением процедур калибровки
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Жуковский, П. В.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2020)Измерительные преобразователи систем оптической диагностики с совмещением процедур калибровки / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 111-115.2021-02-09 -
Измерительный преобразователь систем оптической диагностики с комбинированным оптико магнитным датчиком
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2022)Предложена конструкция комбинированного оптикомагнитного датчика магниторекомбинационного транзистора. Использование в базе транзистора полупроводникоаого материала с глубокой многозарядной примесью позволяет сформировать датчик с чувствительностью к магнитному полю и оптическому излучению. Применение метода широтно-импульсной модуляции для управления скоростью рекомбинации в ...2022-12-28 -
Измерительный преобразователь систем оптической диагностики с фотоприемником на основе полупроводника с собственной проводимостью
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (Белорусско-Российский университет, 2017)Рассмотрены вопросы построения измерительных преобразователей систем дистанционной оптической диагностики. Использование одноэлементных многофункциональных фотоприемников на основе собственных полупроводников с глубокими многозарядными примесями позволяет получить ряд новых количественных и качественных характеристик.2021-06-28