Browsing by Author "Чигирь, Г. Г."

Now showing items 1-5 of 5

    • Измерение глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин методом оже-спектроскопии 

      Солодуха, В. А.; Белоус, А. И.; Чигирь, Г. Г. (БНТУ, 2016)
      Предложен метод измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин, основанный на использовании оже-спектрометра с прецизионным распылением поверхностных слоев кремния и регистрацией интенсивности выхода оже-электронов. Для измерения глубины нарушенного слоя с помощью оже-спектроскопии снимается зависимость количества выходящих оже-электронов от времени распыления ...
      2016-07-27

    • Программно-управляемый источник-измеритель 

      Лисенков, Б. Н.; Грицев, Н. В.; Чигирь, Г. Г. (БНТУ, 2011)
      Лисенков, Б. Н. Программно-управляемый источник-измеритель / Б. Н. Лисенков, Н. В. Грицев, Г. Г. Чигирь // Приборостроение-2011 : материалы 4-й Международной научно-технической конференции, 16–18 ноября 2011 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (пред.), Е. В. Гурина, Д. С. Доманевский [и др.]. – Минск : БНТУ, 2011. – С. 106-107.
      2026-03-12

    • Разработать метод бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметров до 200 мм. Часть 1 

      Владимирова, Т. Л.; Воробей, И. В.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Костина, Г. А.; Самарина, А. В.; Микитевич, В. А.; Миронович, Н. М.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Сопряков, В. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Петлицкий, А. Н.; Чигирь, Г. Г.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Шабалина, С. В.; Омельченко, А. А. (2019)
      Объектом исследования являлись методы бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах. Целью исследования являлась разработка новых методов и средств контроля и картирования поверхности полупроводниковых пластин, обеспечивающих бесконтактные неразрушающие измерения физических параметров ...
      2025-04-15

    • Разработать метод бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах диаметров до 200 мм. Часть 2. Приложения 

      Владимирова, Т. Л.; Воробей, И. В.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Костина, Г. А.; Самарина, А. В.; Микитевич, В. А.; Миронович, Н. М.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Сопряков, В. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Петлицкий, А. Н.; Чигирь, Г. Г.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Шабалина, С. В.; Омельченко, А. А. (2019)
      Объектом исследования являлись методы бесконтактного контроля однородности распределения параметров ионно-легированных и диффузионных слоев на полупроводниковых пластинах. Целью исследования являлась разработка новых методов и средств контроля и картирования поверхности полупроводниковых пластин, обеспечивающих бесконтактные неразрушающие измерения физических параметров ...
      2025-04-15

    • Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов 

      Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Чигирь, Г. Г.; Филипеня, В. А.; Горушко, В. А. (БНТУ, 2018)
      Ключевым элементом, определяющим стабильность полупроводниковых приборов, является подзатворный диэлектрик. По мере уменьшения его толщины в процессе масштабирования растет совокупный объем факторов, определяющих его электрофизические свойства. Целью данной работы являлась разработка экспрессного метода контроля времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика и исследование ...
      2019-01-02