Now showing items 1-2 of 2

    • Магнитореологическое полирование поверхностей карбида кремния до ангстремного уровня шероховатости 

      Холод, В. М.; Худолей, А. Л.; Гринчук, П. С.; Лапицкая, В. А. (БНТУ, 2025)
      Монокристаллический карбид кремния является перспективным полупроводниковым материалом третьего поколения. Благодаря большой величине запрещённой зоны электроника на его основе может выдерживать экстремальные температуры эксплуатации до 500 °С и выше и устойчива к радиационному воздействию. Высокоточная полировка пластин из карбида кремния позволяет повысить надёжность электронных ...
      2026-01-05
    • Физико-механические свойства карбидокремниевой керамики под воздействием ионов He И Kr 

      Лапицкая, В. А.; Хабарова, А. В.; Холод, В. М.; Гринчук, П. С.; Углов, В. В.; Чижик, С. А. (БНТУ, 2023)
      Методом наноиндентирования проведены исследования физико-механических свойств фаз SiC и Si образцов карбидокренмиевой керамики до и после воздействия ионами гелия (He) и криптона (Kr). Облучение проводилось при интегралных дозировках He от 1 · 1014 до 2 · 1017 см–2 и криптона – от 1 · 1013 до 5 · 1015 см–2. Установлено, что модуль упругости Е и микротвердость Н фазы SiC керамики ...
      2023-12-21