Browsing by Author "Гапоненко, М. С."
Now showing items 1-11 of 11
-
Динамика возбужденных состояний носителей заряда в квантовых точках полупроводниковых соединений AIVBVI в стеклах и коллоидных растворах
Волк, Ю. В.; Толстик, Н. А. (2010)Объектом исследования являются стекла и коллоидные растворы, содержащие наночастицы полупроводникового соединения сульфида свинца. Цель НИР – установление закономерностей процессов испускания и поглощения света квантовыми точками полупроводниковых соединений типа AIVBVI, находящихся в различных матрицах (стеклах и коллоидных растворах), а также установление влияния матричного ...2012-06-26 -
Динамика возбужденных состояний тетрокоординированных ионов переходных металлов (со2+, v3+) в оксидных и полупроводниковых кристаллах
Золотовская, С. А.; Волк, Ю. В.; Гапоненко, М. С. (2009)Объект исследования - оксидные кристаллы, легированные ионами переходных металлов (Со2+, V3+). Цель проекта - исследование особенностей нелинейных процессов в кристаллах, активированных ионами переходных металлов (Со2+, V3+). В результате выполнения НИР исследованы спектры поглощения кристаллов кальций-цирконий-гадолиний-галлиевого граната и гадолиний-скандий-галлиевого граната, ...2012-06-28 -
Исследование оптических нелинейностей в кристаллических и стеклокристаллических структурах и разработка на этой основе высоконелинейных материалов для спектральной области 2 мкм
Гапоненко, М. С.; Маляревич, А. М.; Денисов, И. А.; Скопцов, Н. А. (2010)Объектами исследования являются стеклокристаллических материалы, содержащие полупроводниковую фазу сульфида свинца, и стекла на основе оксидов тяжелых металлов. Цель работы – разработка высоконелинейных оптических материалов для спектральной области 2 мкм на основе исследования нелинейностей, возникающих при резонансном и нерезонансном возбуждении в композиционных стеклокристаллических ...2012-06-11 -
Исследование просветляющихся сред на основе полупроводниковых квантовых точек для синхронизации мод 1.9-мкм тулиевых лазеров
Денисов, И. А.; Юмашев, К. В.; Гапоненко, М. С. (2009)Объектом исследования являются стекла с квантовыми точками полупроводниковых соединений. Цель НИР – изучение нелинейно-оптических свойств новых материалов в виде стекол с наноразмерными полупроводниковыми частицами (квантовыми точками) с целью разработки на их основе просветляющихся сред для синхронизации мод лазеров с активной средой на ионах тулия, излучающих в области длины ...2012-06-29 -
Разработка и исследование оптических переключателей на основе наноразмерных композиционных материалов для волоконно-оптических линий связи
Маляревич, А. М.; Савицкий, В. Г.; Поснов, Н. Н.; Гапоненко, М. С. (2009)Цель работы – разработка материалов для оптических переключателей, управляемых светом, для спектральной области 1.5 мкм. В процессе работы экспериментально изучены временные, энергетические и спектральные характеристики просветления стекол с наноразмерными включениями сульфида свинца в области длины волны 1.5 мкм с использованием методов традиционной (линейной) спектроскопии, ...2012-06-28 -
Разработка компактных иттербиевых лазеров с модуляцией добротности для систем измерения расстояний
Кисель, В. Э.; Кулешов, Н. В.; Маляревич, А. М.; Юмашев, К. В.; Толстик, Н. А.; Гапоненко, М. С.; Денисов, И. А.; Гулевич, А. Е.; Скопцов, Н. А.; Лойко, П. А. (2010)Объектами исследования являются лазерные кристаллы оксидов и фторидов, активированные ионами Yb3+ и Nd3+, насыщающийся поглотитель V3+:YAG. Цель работы – разработать математические модели, описывающие работу твердотельных лазеров, работающих в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности, на основе квази трехуровневых и четырех уровневых активных материалов с учетом ...2012-04-04 -
Разработка новых лазерных материалов, перспективных зеркальных систем и технологий и оборудования высокоточной обработки поверхностей оптических стекол и монокристаллов
Юмашев, К. В.; Маляревич, А. М.; Козерук, А. С.; Гончаренко, И. А.; Артюхина, Н. К.; Шамкалович, В. И.; Ляшко, О. М.; Ясюкевич, А. С.; Кузнечик, В. О.; Кисель, В. Э.; Гапоненко, М. С. (2010)Цель работы – разработка новых материалов для лазерной техники, зеркальных и зеркально-линзовых систем для микроскопии, технологий для высокоточной обработки поверхностей оптических деталей, активно-импульсных приборов видения, новых принципов построения оптической элементной базы устройств съема, передачи, хранения и обработки информации на основе волноводных кольцевых микрорезонаторов.2012-06-20 -
Разработка основ получения, изучение оптических характеристик и перспектив применения в электронно-оптических компонентах новых композиционных материалов на основе диэлектрических матриц, содержащих квазинульмерные частицы
Юмашев, К. В.; Гапоненко, М. С.; Денисов, И. А.; Скопцов, Н. А.; Рачковская, Г. Е.; Захаревич, Г. Б.; Трусова, Е. Е.; Лойко, В. А.; Дик, В. П.; Конколович, А. В.; Мискевич, А. А.; Грицай, О. А.; Костюк, Н. Н.; Дик, Т. А.; Дмитриев, С. М. (2010)Объектом исследования являются стекла с квазинульмерными частицами (квантовыми точками) полупроводниковых соединений и дисперсии жидкого кристалла. Цель НИР – разработка и исследование новых композиционных материалов на основе стекол, содержащих квазинульмерные частицы полупроводников PbS, PbSe, для использования в качестве оптоэлектронных компонентов спектрального диапазона 1-3 ...2012-06-11 -
Стекло с нанокристаллами сульфида свинца для просветляющихся фильтров в ближней ИК области спектра
Рачковская, Г. Е.; Захаревич, Г. Б.; Кулешов, Н. В.; Юмашев, К. В.; Маляревич, А. М.; Гапоненко, М. С. (2006)Стекло с нанокристаллами сульфида свинца для просветляющихся фильтров в ближней ИК области спектра : пат. 8401 Респ. Беларусь : МПК7 C03C14/00 / Г. Е. Рачковская [и др.] ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2006.08.30.2019-09-16 -
Твердотельный эрбиевый лазер с диодной накачкой
Гапоненко, М. С.; Скопцов, Н. А.; Маляревич, А. М.; Юмашев, К. В. (2012)Твердотельный эрбиевый лазер с диодной накачкой : пат. 8891 U Респ. Беларусь : МПК(2006.01) H01S3/16 / М. С. Гапоненко [и др.] ; заявитель Белорусский национальный технический университет ; дата публ.: 2012.12.30.2019-12-02 -
Тулиевый лазер с диодной накачкой, излучающий в спектральном диапазоне 2 мкм
Гусакова, Н. В.; Лойко, П. А.; Гапоненко, М. С.; Юмашев, К. В.; Кулешов, Н. В. (БНТУ, 2012)Тулиевый лазер с диодной накачкой, излучающий в спектральном диапазоне 2 мкм / Н. В. Гусакова [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 202.2022-09-22