Now showing items 1-3 of 3

    • Ионное травление фенолформальдегидных фоторезистов для обратной литографии 

      Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Зубова, О. А.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А. (БНТУ, 2025)
      Методами отражательно-абсорбционной ИК-Фурье-спектроскопии, рентгеноспектрального микроанализа и индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) KMP E3502, AZ nLOF 2020, 2070 и 5510 толщиной 0,9–6,0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Ионное травление приводило к увеличению микротвердости структур ФР/кремний, обусловленному ...
      2026-01-14
    • Прочностные свойства пленок фоторезиста AZ nLOF 5510 

      Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (Интегралполиграф, 2024)
      Методом индентирования исследованы пленки негативного фоторезиста AZ nLOF 5510 толщиной 0,99 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Пленки AZ nLOF 5510 ведут себя как упругопластичные материалы, в которых присутствуют растягивающие упругие напряжения. После дополнительной сушки и ионного травления поведение пленок AZ nLOF 5510 при индентировании ...
      2025-02-05
    • Спектры поглощения фоторезистов для обратной литографии 

      Абрамов, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Колос, В. В.; Зубова, О. А.; Черный, В. В. (Интегралполиграф, 2024)
      Методом ИК-Фурье-спектроскопии диффузного отражения исследованы пленки негативных фоторезистов AZ nLOF 2020 и AZ nLOF 2070 толщиной 5,9 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Наиболее интенсивными являются полосы валентных колебаний ароматического кольца ( ~1500 см–1), пульсационных колебаний углеродного скелета ароматического кольца (сдвоенный ...
      2025-02-05