Browsing by Author "Вабищевич, С. А."

Now showing items 1-6 of 6

    • Индентирование облученных электронами пленок позитивных новолачных фоторезистов на кремнии 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2022)
      Методом микроиндентирования исследованы прочностные и адгезионные свойства пленок диазохинон-новолачных позитивных фоторезистов S1813, SPR-700 и ФП9120 толщиной 1,2–1,8 мкм, облученных электронами c энергией 5 МэВ флюенсом 3·1016 см-2. Показано, что при облучении микротвердость фоторезистивных пленк возрастает, причем наиболее существенно в SPR-700.
      2022-12-28

    • Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии 

      Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2016)
      Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии / С. А. Вабищевич [и др.] // Приборостроение-2015 : материалы 8-й международной научно-технической конференции, Минск, 25-27 ноября 2015 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2015. – Т. 1. - С. 208-209.
      2016-10-05

    • Оптические и электрические свойства облученных быстрыми электронами светодиодов на основе гетероструктур 

      Бумай, Ю. А.; Бобученко, Д. С.; Васьков, О. С.; Вабищевич, С. А.; Ластовский, С. Б.; Трофимов, Ю. В.; Цвирко, В. И. (Полоцкий государственный университет, 2015)
      Исследовано влияние облучения быстрыми электронами (4 МэВ) на электрические и оптические свойства светоизлучающих диодов (СИД) на основе нитридов и фосфидов. Установлены закономерности изменения при облучении в вольтамперных характеристиках, спектрах электролюминесценции и тепловых свойствах СИД. Обнаружено изменение в спектрах электролюминесценции ультрафиолетовых и синих СИД, ...
      2018-09-28

    • Прочностные свойства и морфология поверхности структур фоторезист ФП9120 – кремний 

      Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)
      Целью настоящей работы являлось исследование прочностных свойств пленок фоторезиста марки ФП9120 различной толщины, нанесенных на пластины кремния различных марок.
      2015-03-23

    • Прочностные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебра 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2023)
      Методом микроиндентировния исследованы пленки позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5  1016–1,0  1017 cм–2 на имплантаторе ИЛУ-3. Сформированный при ионной имплантации Ag+ карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения ...
      2023-12-21

    • Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии 

      Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Гайшун, В. Е. (БНТУ, 2016)
      В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нано- и субмикронной литографии современной электроники. В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе термически и механически стойких полимеров. Целью настоящей работы являлось изучение возможности применения методов микроиндентирования и склерометрии ...
      2016-06-07