Browsing by Author "Шадурская, Л. И."
Now showing items 21-40 of 89
-
Измерительный фотоэлектрический преобразователь с высокой линейностью энергетической характеристики
Борисенок, С. В.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жуковский, П. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2021)Предлагается схема измерительного преобразователя, основанная на применении нескольких фотоприемников на базе полупроводников с низкой концентрацией глубокой примеси с различающимися параметрами. Достижение линейности характеристик преобразования производится путем объединения перекрывающихся линейных участков характеристик разных фотоэлектрических преобразователей, входящих в ...2022-02-02 -
Измерительный фотоэлектрический преобразователь с управляемой характеристикой спектральной чувствительности
Борисенок, С. В.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Колтунович, Т. Н.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2021)Предложена схема управления видом спектральной характеристики чувствительности фотоэлектрического преобразователи на основе полупроводникового фотоприемника с глубокой многозарядной примесью с использованием метода широтно-импульсной модуляции. Управление видом спектральной характеристики чувствительности для большинства комбинаций материалов полупроводника и глубокой многозарядной ...2022-02-02 -
ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2008)Гусев, О. К. ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. ...2021-08-26 -
Инжекционная зависимость подвижности носителей заряда при перезарядке глубоких примесей
Шадурская, Л. И.; Юнчик, А. А.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2009)Шадурская, Л. И. Инжекционная зависимость подвижности носителей заряда при перезарядке глубоких примесей / Л. И. Шадурская, А. А. Юнчик, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Седьмой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. ...2021-09-30 -
Инжекционный фотодиод с N-образным участком вольтамперной характеристики
Тимохова, Т. В.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2013)Тимохова, Т. В. Инжекционный фотодиод с N-образным участком вольтамперной характеристики / Т. В. Тимохова, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 6-й Международной студенческой научно-технической конференции, 24-26 апреля 2013 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 61.2022-10-24 -
Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения
Красовская, А. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2010)Красовская, А. А. Исследование параметров фоторезистора на основе полупроводников с многозарядными примесями с помощью схемы деления напряжения / А. А. Красовская, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: ...2018-01-03 -
Иттерационный метод расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках
Забогонский, К. А.; Париза, И. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2024)Забогонский, К. А. Иттерационный метод расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках / К. А. Забогонский, И. А. Париза, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 17-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17-19 апреля 2024 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический ...2024-05-27 -
Калибровка волоконно-оптических сенсоров с использованием двухбарьерных фотодетекторов
Тявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (Научтехлитиздат, 2010)Рассмотрены вопросы применения двухбарьерных фотодетекторов в схемах калибровки волоконно-оптических сенсоров непосредственно в процессе измерения. Предложены схемы калибровки с использованием широкополосного и двухволнового источников оптического излучения. Рассмотрена модель составляющих погрешности волоконно-оптического сенсора. Применение двухбарьерного фотодетектора в схеме ...2016-02-29 -
Классификация изменений фотоэлектрического усиления фотопроводящих структур в сильных электрических полях
Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2015)Гусев, О. К. Классификация изменений фотоэлектрического усиления фотопроводящих структур в сильных электрических полях / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 2. - С. 169.2016-03-04 -
Комбинированные магнитооптические сенсоры на основе транзисторных структур
Найден, В. В.; Гусев, О. К.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2023)Найден, В. В. Комбинированные магнитооптические сенсоры на основе транзисторных структур / В. В. Найден, О. К. Гусев, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 16-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 19-21 апреля 2023 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. ...2023-05-12 -
Комбинированный оптико-магнитный преобразователь
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Жуковский, П. В.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2022)Применение полупроводников с глубокой многозарядной примесью позволяют создавать приборные структуры, которые могут быть использованы для построения преобразователей, чувствительных к магнитному полю и оптическому излучению. Комбинированный оптико магнитный преобразователь характеризуется свойствами функционального умножителя индукции магнитного поля и интенсивности оптического ...2022-12-28 -
Контурный детектор на основе координатно-чувствительного фотоприемника, принципы преобразования и восстановления изображений
Лисовский, Д. В.; Шадурская, Л. И.; Яржембицкий, В. Б. (БНТУ, 2002)Лисовский, Д. В. Контурный детектор на основе координатно-чувствительного фотоприемника, принципы преобразования и восстановления изображений / Д. В. Лисовский, Л. И. Шадурская, В. Б. Яржембицкий // Теоретическая и прикладная механика : межведомственный сборник научно-методических статей / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: И. П. Филонов [и др.]. – Минск ...2021-05-18 -
Кремниевые фотодиоды с областью пространственного заряда, легированной цинком
Лапицкая, В. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2013)Лапицкая, В. А. Кремниевые фотодиоды с областью пространственного заряда, легированной цинком / В. А. Лапицкая, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 6-й Международной студенческой научно-технической конференции, 24-26 апреля 2013 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 32.2022-10-24 -
Магнитный контроль рельсов и рельсовых соединений
Скрипка, И. Н.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2021)Скрипка, И. Н. Магнитный контроль рельсов и рельсовых соединений / И. Н. Скрипка, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 58-59.2021-05-13 -
Метод контроля дефектов в эпитаксиальных структурах кремния
Тихоновец, Е. С.; Фолынсков, Д. И.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2019)Тихоновец, Е. С. Метод контроля дефектов в эпитаксиальных структурах кремния / Е. С. Тихоновец, Д. И. Фолынсков, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и ...2019-08-21 -
Методика испытаний полупроводниковых фотоэлектрических нуль-детекторов
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2006)Методика испытаний полупроводниковых фотоэлектрических нуль-детекторов / Р. И. Воробей [и др.] // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Четвертой международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2006. – Т. 1. – С. 233-235.2021-11-11 -
Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов
Шадурская, Л. И.; Яржембицкая, Н. В. (БНТУ, 2005)Шадурская, Л. И. Методика расчета времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с несколькими типами дефектов / Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Теоретическая и прикладная механика : международный научно-технический сборник. – Вып. 18. – 2005. – С. 178-183.2016-10-20 -
Многофункциональные твердотельные преобразователи с управляемыми характеристиками
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И.; Костина, Г. А.; Буйневич, М. В. (БНТУ, 2016)Многофункциональные твердотельные преобразователи с управляемыми характеристиками / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 38-39.2017-03-02 -
Многофункциональные фотоэлектрические преобразователи
Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Свистун, А. И.; Тявловский, К. Л.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2016)Многофункциональные фотоэлектрические преобразователи / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 42-43.2017-03-02 -
Моделирование пространственного распределения неравновесных носителей заряда в полупроводниках с учетом оптической перезарядки глубоких примесей дефектов
Шунькина, Д. А.; Шадурская, Л. И. (БНТУ, 2015)Шунькина, Д. А. Моделирование пространственного распределения неравновесных носителей заряда в полупроводниках с учетом оптической перезарядки глубоких примесей дефектов / Д. А. Шунькина, Л. И. Шадурская // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : ...2022-08-24