Browsing by Author "Гацкевич, Е. И."
Now showing items 21-40 of 56
-
Лента Мёбиуса: математическое описание
Любинский, К. А.; Семенова, К. В.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2021)Любинский, К. А. Лента Мёбиуса: математическое описание / К. А. Любинский, К. В. Семенова, Е. И. Гацкевич // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. ...2021-05-13 -
Математика. Ч. 1
Бокуть, Л. В.; Гацкевич, Е. И.; Прусова, И. В.; Кондратьева, Н. А. (БНТУ, 2021)Данное учебно-методическое пособие предназначено для студентов очной или заочной формы обучения при самостоятельном изучении дисциплины «Математика». В пособии содержатся материалы к тестированию по следующим темам: «Элементы линейной и векторной алгебры», «Аналитическая геометрия», «Введение в анализ», «Дифференциальное исчисление функции одной переменной».2021-12-10 -
Методические указания к курсовым работам по информатике для студентов инженерных специальностей приборостроительного факультета БНТУ
Князев, М. А.; Гацкевич, Е. И.; Кондратьева, Н. А.; Романчак, В. М.; Гундина, М. А. (БНТУ, 2015)Методические указания к курсовым работам по информатике для студентов инженерных специальностей приборостроительного факультета БНТУ [Электронный ресурс] / Белорусский национальный технический университет, Кафедра "Инженерная математика" ; сост.: М. А. Князев [ и др.]. – Минск : БНТУ, 2015.2015-09-28 -
Моделирование динамики отражения многослойных систем с движущимися границами
Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2022)В настоящей работе на основе теории распространения света в многослойных поглощающих средах проведено моделирование динамики отражения структуры аморфная пленка Ge на подложке кристаллического Si в условиях лазерно-индуцированного плавления и последующего отвердевания. Рассмотрены следующие ситуации при отвердевании: 1) граница фазового перехода расплав – твердое тело движется ...2022-12-28 -
Моделирование лазерно-индуцированного нагрева тонкопленочного германия на кремниевых и кварцевых подложках
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Гундина, М. А.; Князев, М. А. (БНТУ, 2017)Моделирование лазерно-индуцированного нагрева тонкопленочного германия на кремниевых и кварцевых подложках / Е. И. Гацкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 357-359.2018-02-09 -
Моделирование лазерно-индуцированных процессов в пленках TiAlN на кремниевых подложках
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д. (2016)Гацкевич, Е. И. Моделирование лазерно-индуцированных процессов в пленках TiAlN на кремниевых подложках / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 3. - С. 400.2017-08-25 -
Моделирование лазерно-индуцированных фазовых превращений в трёхслойных гетероструктурах
Гацкевич, Е. И.; Князев, М. А. (БНТУ, 2019)Гацкевич, Е. И. Моделирование лазерно-индуцированных фазовых превращений в трёхслойных гетероструктурах / Е. И. Гацкевич, М. А. Князев // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 470-472.2020-01-03 -
Моделирование оптических свойств GeSi герероструктур
Альхимович, М. А.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2019)Альхимович, М. А. Моделирование оптических свойств GeSi герероструктур / М. А. Альхимович, Е. И. Гацкевич // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. ...2019-08-27 -
Моделирование оптических свойств трёхслойных гетеростуктур на основе Ge и Si
Гацкевич, Е. И.; Альхимович, М. А. (БНТУ, 2019)Гацкевич, Е. И. Моделирование оптических свойств трёхслойных гетеростуктур на основе Ge и Si / Е. И. Гацкевич, М. А. Альхимович // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 365-366.2020-01-03 -
Моделирование оптических явлений в MATHCAD
Якубович, Т. С.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2021)Якубович, Т. С. Моделирование оптических явлений в MATHCAD / Т. С. Якубович, Е. И. Гацкевич // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 276-277.2021-05-13 -
Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д. (БНТУ, 2015)Гацкевич, Е. И. Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного излучения / Е. И. Гацкевич, Г. Д. Ивлев // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 405.2016-04-28 -
Моделирование процессов плавления и отвердевания, инициируемых в эпитаксиальных слоях GeSi воздействием наноимпульсного лазерного излучения
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (БНТУ, 2014)В данной работе приведены результаты численного моделирования процессов нагрева, плавления и кристаллизации при облучении наносекундными лазерными импульсами структур Si1-xGex, выращенных на Si подложке, и обсуждается механизм формирования в них ячеистой структуры, связанный с эффектом концентрационного переохлаждения.2015-03-23 -
Моделирование растекания заряда в приповерхностных слоях Ge при лазерном воздействии
Гацкевич, Е. И.; Князев, М. А.; Гундина, М. А.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2017)Моделирование растекания заряда в приповерхностных слоях Ge при лазерном воздействии / Е. И. Гацкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 450.2018-06-27 -
Моделирование термостимулированных процессов в пленках TiAlN при наносекундном лазерном воздействии
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Людчик, О. Р. (БНТУ, 2016)Моделирование термостимулированных процессов в пленках TiAlN при наносекундном лазерном воздействии / Е. И. Гацкевич [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 296-298.2017-03-27 -
Моделирование фотофизических процессов в стеклах системы TeO2 – WO3 – (Yb1-xErx)2O3
Гацкевич, Е. И.; Ковгар, В. В.; Малашкевич, Г. Е.; Суходола, А. А. (БНТУ, 2015)Моделирование фотофизических процессов в стеклах системы TeO2 – WO3 – (Yb1-xErx)2O3 / Е. И. Гацкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 406.2016-04-28 -
Моделирование явления «биение» в программе Mathcad
Суринович, Е. И.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2023)Суринович, Е. И. Моделирование явления «биение» в программе Mathcad / Е. И. Суринович, Е. И. Гацкевич // Новые направления развития приборостроения : материалы 16-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 19-21 апреля 2023 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, ...2023-05-12 -
Моделирование явления интерференции в программе Mathcad
Суринович, Е. И.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2023)Суринович, Е. И. Моделирование явления интерференции в программе Mathcad / Е. И. Суринович, Е. И. Гацкевич // Новые направления развития приборостроения : материалы 16-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 19-21 апреля 2023 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : ...2023-05-12 -
Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
Гацкевич, Е. И.; Ивлев, Г. Д.; Малевич, В. Л. (Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, 2015)Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава. Результаты вычислений сопоставлены с известными ...2018-06-20 -
Операционная система LINUX
Храмкова, А. С.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2021)Храмкова, А. С. Операционная система LINUX / А. С. Храмкова, Е. И. Гацкевич // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 272-273.2021-05-13 -
Основные интернет – провайдеры в Беларуси и на приборостроительном факультете
Никуленкова, Е. В.; Гацкевич, Е. И. (БНТУ, 2018)Никуленкова, Е. В. Основные интернет – провайдеры в Беларуси и на приборостроительном факультете / Е. В. Никуленкова, Е. И. Гацкевич // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 368.2018-09-06