Browsing by Author "Черный, В. В."
Now showing items 61-80 of 96
-
Особенности ВАХ электровакуумных диодов
Кулагин, Д. А.; Меркуль, А. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2012)Кулагин, Д. А. Особенности ВАХ электровакуумных диодов / Д. А. Кулагин, А. С. Меркуль, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 248.2022-09-22 -
Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов
Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2021)Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...2022-02-02 -
Особенности измерения коэффициента трения качения
Черный, В. В. (БНТУ, 2009)Черный, В. В. Особенности измерения коэффициента трения качения / В. В. Черный // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Седьмой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2009. – Т. 2. – С. 366.2021-10-05 -
Особенности имплантации ионов Р+, В+ И Sb+ в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2021)Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантиро- ванные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5*10^14–6*10^17 cм-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов ...2022-02-02 -
Особенности лавинного пробоя диффузионных p-n - переходов на основе кремния
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)Особенности лавинного пробоя диффузионных p-n - переходов на основе кремния / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 12-й Международной научно-технической конференции. Т. 3. - Минск : БНТУ, 2014. - С. 458.2015-02-10 -
Особенности поведения тока диодов Шоттки на основе GaAs
Черный, В. В. (2016)Черный, В. В. Особенности поведения тока диодов Шоттки на основе GaAs / В. В. Черный // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 3. - С. 440.2017-08-30 -
Особенности электрических и оптических свойств контактных структур
Черный, В. В. (БНТУ, 2017)Черный, В. В. Особенности электрических и оптических свойств контактных структур / В. В. Черный // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 479.2018-06-28 -
Особенности электрических свойств светодиодов
Черный, В. В. (2016)Черный, В. В. Особенности электрических свойств светодиодов / В. В. Черный // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 14-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2016. - Т. 3. - С. 439.2017-08-30 -
Особенности электрической емкости контактных структур
Калошич, С. С.; Гавриленко, В. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2012)Калошич, С. С. Особенности электрической емкости контактных структур / С. С. Калошич, В. В. Гавриленко, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 244.2022-09-22 -
Предложения по модернизации лабораторной работы “Изучение устройства и физических принципов работы электронного осциллографа”
Черный, В. В.; Александрова, Э. Н. (БНТУ, 2008)Черный, В. В. Предложения по модернизации лабораторной работы “Изучение устройства и физических принципов работы электронного осциллографа” / В. В. Черный, Э. Н. Александрова // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. ...2021-08-30 -
Применение емкостной спектроскопии с разрешением по частоте для исследования контактных структур
Кучура, Е. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2019)Кучура, Е. А. Применение емкостной спектроскопии с разрешением по частоте для исследования контактных структур / Е. А. Кучура, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. ...2019-08-23 -
Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120
Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2019)Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 196-198.2020-01-03 -
Прочностные свойства и морфология поверхности структур фоторезист ФП9120 – кремний
Бринкевич, Д. И.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2014)Целью настоящей работы являлось исследование прочностных свойств пленок фоторезиста марки ФП9120 различной толщины, нанесенных на пластины кремния различных марок.2015-03-23 -
Прочностные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, имплантированных ионами серебра
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В.; Вабищевич, С. А.; Вабищевич, Н. В. (БНТУ, 2023)Методом микроиндентировния исследованы пленки позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5 1016–1,0 1017 cм–2 на имплантаторе ИЛУ-3. Сформированный при ионной имплантации Ag+ карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения ...2023-12-21 -
Релаксация упругих напряжений у поверхности позитивного фоторезиста при высокоэнергетичном воздействии
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2015)Релаксация упругих напряжений у поверхности позитивного фоторезиста при высокоэнергетичном воздействии / Д. И. Бринкевич [и др.] // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 13-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2015. - Т. 3. - С. 471-472.2016-05-04 -
Сборник вопросов и задач для практических занятий и контрольных работ по физике. Ч. 1
Юмашев, К. В.; Бобученко, Д. С.; Бумай, Ю. А.; Красовский, В. В.; Манего, С. А.; Свирина, Л. П.; Черный, В. В. (БНТУ, 2021)Учебно-методическое пособие содержит задачи и вопросы по следующим разделам курса общей физики: Механика; Молекулярная физика; Электричество. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов инженерных специальностей, изучающих соответствующие разделы курса общей физики.2021-03-30 -
Свойства слоев кремния, имплантированных аргоном
Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)Просолович, В. С. Свойства слоев кремния, имплантированных аргоном / В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский, В. В. Черный // Наука – образованию, производству, экономике : материалы 15-й Международной научно-технической конференции. - Минск : БНТУ, 2017. - Т. 3. - С. 474.2018-06-28 -
Температурная зависимость сопротивления полупроводников и металлов
Черный, В. В.; Малаховская, В. Э. (БНТУ, 2016)Пособие содержит основы теории электропроводности полупроводников и металлов. Объясняется наблюдаемая на опыте зависимость сопротивления этих материалов от температуры. Приведено описание экспериментальной установки для изучения температурной зависимости сопротивления металлов и полупроводников. На основании изложенного определяется важнейшая характеристика полупроводника – ширина ...2016-10-19 -
Устройство для измерения ВАХ контактных структур в импульсном режиме
Корчик, Е. Д.; Нгуен, Ван Тай; Черный, В. В. (БНТУ, 2010)Корчик, Е. Д. Устройство для измерения ВАХ контактных структур в импульсном режиме / Е. Д. Корчик, Ван Тай Нгуен, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 3-й Международной студенческой научно-технической конференции, 21-23 апреля 2010 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2010. - С. 227.2018-01-11 -
Уточнение метода определения запирающего напряжения
Шапарь, А. В.; Волоткович, С. В.; Черный, В. В. (БНТУ, 2009)Шапарь, А. В. Уточнение метода определения запирающего напряжения / А. В. Шапарь, С. В. Волоткович, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 2-й Международной студенческой научно-технической конференции (22-24 апреля 2009 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо [и др.]. – Минск : БНТУ, 2009. – С. 291.2022-10-26