Browsing by Author "Черный, В. В."
Now showing items 41-60 of 94
-
Компьютерное моделирование динамики системы типа «Оборотный маятник»
Развин, И. Ю.; Ясюк, Е. В. (БНТУ, 2003)Развин, И. Ю. Компьютерное моделирование динамики системы типа «Оборотный маятник» / И. Ю. Развин, Е. В. Ясюк ; науч. рук. В. В. Черный // НИРС-2003 : VIII республиканская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, 9-10 декабря 2003 г., г. Минск : тезисы докладов : в 7 ч. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев [и др.]. — Минск : ...2024-05-16 -
Контрольные работы и методические указания по общей физике для студентов заочного отделения инженерно-технических и инженерно-педагогических специальностей. В 3 ч. Ч. 2. Электричество и магнетизм
Черный, В. В.; Бумай, Ю. А.; Вилькоцкий, В. А.; Доманевский, Д. С.; Малаховская, В. Э.; Журавкевич, Е. В.; Новоселов, А. М.; Чапланов, А. М. (БГПА, 2002)Методическое пособие предназначено для самостоятельной работы и контроля знаний по разделам “Электричество и магнетизм” учебной дисциплины ”Общая физика” для студентов заочного отделения инженерно-технических и инженерно-педагогических специальностей БГПА. В пособие включена рабочая программа дисциплины по данным разделам, набор задач и таблицы вариантов контрольных работ, а также ...2012-08-20 -
Коэффициент усиления биполярного транзистора
Гайкевич, Д. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2021)Гайкевич, Д. Н. Коэффициент усиления биполярного транзистора / Д. Н. Гайкевич, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 14-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 14–16 апреля 2021 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 242-243.2021-05-13 -
Моделирование изменений электрических и оптических свойств светодиодов в процессе их длительной эксплуатации
Альхимович, М. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2016)Альхимович, М. А. Моделирование изменений электрических и оптических свойств светодиодов в процессе их длительной эксплуатации / М. А. Альхимович, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 9-й международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20–22 апреля 2016 г. : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ...2016-09-26 -
Моделирование основной кривой намагничивания ферромагнитных материалов
Веселовский, В. А.; Мелюх, Н. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2023)Веселовский, В. А. Моделирование основной кривой намагничивания ферромагнитных материалов / В. А. Веселовский, Н. С. Мелюх, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 16-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 19-21 апреля 2023 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. ...2023-05-12 -
Моделирование устройства ввода оптического излучения в оптоволокно
Развин, И. Ю.; Ясюк, Е. В. (БНТУ, 2003)Развин, И. Ю. Моделирование устройства ввода оптического излучения в оптоволокно / И. Ю. Развин, Е. В. Ясюк ; науч. рук. В. В. Черный // НИРС-2003 : VIII республиканская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, 9-10 декабря 2003 г., г. Минск : тезисы докладов : в 7 ч. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев [и др.]. — Минск : ...2024-05-16 -
Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон
Бринкевич, Д. И.; Лукашевич, М. Г.; Просолович, В. С.; Харченко, А. А.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2017)Модификация поверхности пленок полиэтилентерефталата при имплантации высокоэнергетичными ионами инертных газов с удельной энергией 1 МэВ/нуклон / Д. И. Бринкевич [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев ...2018-02-02 -
Начальный участок вольтамперной характеристики фотоэлектронного прибора
Бабицкая, А. И.; Лихачева, А. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2015)Бабицкая, А. И. Начальный участок вольтамперной характеристики фотоэлектронного прибора / А. И. Бабицкая, А. С. Лихачева, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 8-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2015. – С. 253.2022-08-24 -
О взаимодействии прямолинейных токов
Предко, А. К.; Черный, В. В. (БНТУ, 2019)Предко, А. К. О взаимодействии прямолинейных токов / А. К. Предко, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 12-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, 17−19 апреля 2019 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2019. – С. 337-338.2019-08-27 -
О высокотемпературной сверхпроводимости
Коваленко, А. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2022)Коваленко, А. А. О высокотемпературной сверхпроводимости / А. А. Коваленко, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 15-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 20−22 апреля 2022 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. редкол.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2022. – С. 208-209.2022-05-20 -
Облученные гамма-квантами пленки позитивного резиста ФП9120 на пластинах монокристаллического кремния
Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2020)Бринкевич, Д. И. Облученные гамма-квантами пленки позитивного резиста ФП9120 на пластинах монокристаллического кремния / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Черный // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 169-171.2021-02-09 -
Определение групповой скорости света в прозрачных средах
Черный, В. В.; Любимов, М. М.; Кадер, П. М. (БНТУ, 2006)Черный, В. В. Определение групповой скорости света в прозрачных средах / В. В. Черный, М. М. Любимов, П. М. Кадер // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Третьей международной научно-технической конференции : в 2 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2006. – Т. 2. – ...2021-11-16 -
Определение емкости структур с потенциальным барьером
Титовец, В. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2013)Титовец, В. А. Определение емкости структур с потенциальным барьером / В. А. Титовец, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 6-й Международной студенческой научно-технической конференции, 24-26 апреля 2013 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2013. – С. 259.2022-10-24 -
Определение параметров НЕМТ
Черный, В. В. (БНТУ, 2008)Черный, В. В. Определение параметров НЕМТ / В. В. Черный // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2008. – Т. 2. – С. 261.2021-08-30 -
Определение сопротивлений различных областей полевого транзистора с затвором Шоттки
Сердюкова, Т. В.; Махновец, М. В.; Тиханович, М. П.; Калин, Е. Ю.; Черный, В. В. (БНТУ, 2008)Определение сопротивлений различных областей полевого транзистора с затвором Шоттки / Т. В. Сердюкова [и др.] // Новые направления развития приборостроения : материалы Республиканской студенческой научно-технической конференции (май 2008 г.) / редкол.: В. Л. Соломахо (пред.) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2008. – С. 192-193.2022-08-30 -
Определение сопротивлений различных областей полевых транзисторов с затвором Шоттки
Сыманович, М. П.; Черный, В. В. (БНТУ, 2023)Сыманович, М. П. Определение сопротивлений различных областей полевых транзисторов с затвором Шоттки / М. П. Сыманович, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 16-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, Минск, 19-21 апреля 2023 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев (пред. ...2023-05-12 -
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
Черный, В. В.; Манего, С. А.; Красовский, В. В. (БНТУ, 2018)Практикум содержит описание (теоретическую часть, схему экспериментальной установки и задание) лабораторной работы, посвященной изучению движения заряженных частиц в магнитном и электрическом полях. На основании изложенного по методу магнетрона определяется важный параметр электрона – его удельный заряд. Издание предназначено для студентов инженерных специальностей, изучающих ...2018-10-10 -
Определение ускорения свободного падения с помощью оборотного маятника
Захарченко, А. Н.; Варсоцкий, Е. А.; Черный, В. В. (БНТУ, 2012)Захарченко, А. Н. Определение ускорения свободного падения с помощью оборотного маятника / А. Н. Захарченко, Е. А. Варсоцкий, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 241.2022-09-22 -
Особенности ВАХ электровакуумных диодов
Кулагин, Д. А.; Меркуль, А. С.; Черный, В. В. (БНТУ, 2012)Кулагин, Д. А. Особенности ВАХ электровакуумных диодов / Д. А. Кулагин, А. С. Меркуль, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 5-й Международной студенческой научно-технической конференции, 18-20 апреля 2012 г. / редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск : БНТУ, 2012. – С. 248.2022-09-22 -
Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов
Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. (БНТУ, 2021)Исследованы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики p-i-n-фотодиодов на основе кремния с вертикальной структурой и охранным кольцом. Установлено, что заметная зависимость величины барьерной емкости (на частоте 1 кГц) и размеров области обеднения от температуры наблюдается только при приложенных обратных напряжениях, не превышающих контактную разность потенциалов (Vb ≤ 1 ...2022-02-02