Хаотический потенциал на поверхности вырожденных полупроводников и в контактах
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Chaotic potential on the degenerated semiconductor surface and in contacts
Abstract
В работе обсуждаются естественные неоднородности потенциала на поверхности вырожденного полупроводника и флуктуации высоты барьера в контактах металл-полупроводник. Определены характерные значения амплитуды хаотического потенциала в случае линейного экранирования электроактивной примеси. Показана зависимость данных неоднородностей от электрофизических параметров полупроводника.
item.page.description-other
In this paper, natural heterogeneities of the potential on the degenerated semiconductor surface are discussed as well as the barrier height fluctuations in metal-semiconductor contacts. In the case of electroactive dopant linear screening, characteristic values of chaotic potential amplitudes have been defined. The dependence is shown of these heterogeneities on semiconductor electrophysical parameters.
Description
Citation
Филимонов, А. В. Хаотический потенциал на поверхности вырожденных полупроводников и в контактах = Chaotic potential on the degenerated semiconductor surface and in contacts / А. В. Филимонов, В. Б. Бондаренко, В. В. Кораблев // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 423-424.