Моделирование плотности тока в короткоканальных моп-транзисторах
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Simulation of electron current density in short-channel mosfets
Abstract
На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в короткоканальных кремниевых МОП-транзисторах с мелким и глубоким стоком. Рассчитаны плотности электронного тока в данных транзисторах. Показано, что в структурах с мелким стоком электронный ток протекает в узком приповерхностном слое, что может способствовать появлению высоких паразитных токов.
item.page.description-other
Electron transport in silicon short-channel MOSFETs with shallow and deep drain is simulated by Monte Carlo method. Spatial distributions of electron current density are calculated. It is shown that electron current in simulated structures with shallow drain flows in thin layer near the surface. That can produce the high parasitic current into insulating oxide.
Description
Citation
Жевняк, О. Г. Моделирование плотности тока в короткоканальных моп-транзисторах = Simulation of electron current density in short-channel mosfets / О. Г. Жевняк, В. М. Борздов, А. В. Борздов // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 278-279.