Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diode
Abstract
На основе абсорбционно-люминесцентных свойств кристалла литий-иттриевого фторида, активированного ионами празеодима, определны требования к InGaN лазерным диодам, рассчитаны система фокусировки и резонатор Pr:YLF лазера, генерирующего на переходе 3Р1 → 3Н5. Выходная мощность лазерного излучения составила 0,5 Вт.
item.page.description-other
Based on the absorption-luminescence properties of praseodymium doped lithium-yttrium fluoride crystal the requirements for InGaN laser diodes are determined. The focusing system and resonator of a Pr: YLF laser generating at the 3P1 → 3H5 transition are designed. Аn output power of 0.5 W was achieved.
Description
Citation
Лазер на кристалле Pr:YLF при накачке InGaN лазерным диодом = Pr:YLF laser pumped by InGaN laser diode / М. П. Демеш [и др.] // Приборостроение-2021 : материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17-19 ноября 2021 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2021. – С. 405-407.