Разработка методик для исследования эволюции структуры электротепловых параметров методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии, анализа механизмов деградации и выявления потенциально ненадежных элементов в изделиях силовой и оптоэлектроники, выполненных на основе гибридных гетерогенных структур в режимах близких к предельно допустимым

Abstract

Объектом исследования являются мощные полупроводниковые приборы, полевые MOП-транзисторы, стабилизаторы напряжения, электротепловые модели. Целью работы является разработка методик основе тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии (ТРДС) для исследования изменения структуры теплового сопротивления и профилей распределения теплового потока в полупроводниковых приборах в различном конструктивном исполнении и технологией посадки кристалла, анализ механизмов деградации тепловых параметров изделий силовой электроники. Методология проведения работы заключалась в изготовлении опытных образцов полупроводниковых приборов (ОАО «Интеграл») при различных технологических режимах и в различном конструктивном исполнении. Затем на базе разработанных в БНТУ методик и аппаратуры, исследовалась структура теплового сопротивления и ее изменение в опытных образцах. Дорабатывались электротепловые модели исследуемых образцов. Методики апробировались при изучении тепловых параметров мощных светодиодов и полупроводниковых источников света различного типа, микросхем источников напряжения, биполярных и полевых МОП-транзисторов. Область применения методик и аппаратуры - при разработке и освоении новых изделий, на стадиях совершенствования технологических процессов монтажа кристаллов полупроводниковых приборов и повышения их надежности при термоиспытаниях.