Измерение заряда затвора силовых транзисторов
Loading...
Files
Authors
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Measuring the gate charge of power transistors
Abstract
Представлена методика измерения полного заряда затвора Qg, заряда затвор-исток Qgs и заряда затвор-сток Qgd силового МОП транзистора.
item.page.description-other
The paper presents a technique for measuring the total gate charge Qg, gate-source charge Qgs, and gate-drain charge Qgd of a power MOSFET.
Description
Citation
Лисенков, Б. Н. Измерение заряда затвора силовых транзисторов = Measuring the gate charge of power transistors / Б. Н. Лисенков // Приборостроение-2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (пред.), О. К. Гусев, Р. И. Воробей [и др.]. – Минск : Интегралполиграф, 2024. – С. 149-150.