Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры

Simple item page
dc.contributor.authorПлющевский, И. А.
dc.contributor.authorЧерный, В. В.
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2018-09-06T06:50:19Z
dc.date.available2018-09-06T06:50:19Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationПлющевский, И. А. Влияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметры / И. А. Плющевский, В. В. Черный // Новые направления развития приборостроения : материалы 11-й Международной научно-технической конференции молодых ученых и студентов, (18-20 апреля 2018 г.) / пред. редкол. О. К. Гусев. - Минск : БНТУ, 2018. - C. 371.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/47185
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleВлияние режимов формирования базовой области высокочастотных транзисторов на основе кремния на их параметрыru
dc.typeWorking Paperru

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
371.pdf
Size:
793.09 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Материалы конференции по статьям