Комплекс для элементного анализа приповерхностных слоев твердотельных материалов с нанометровым разрешением по глубине

Abstract

Разработан и изготовлен измерительный комплекс, предназначенный для количественного анализа содержания и распределения по глубине примесных атомов в приповерхностных слоях кристаллов и тонких пленок методом регистрации энергетических спектров ионов, испытавших резерфордовское рассеяние на углы более π/2. В основу конструкции комплекса заложен модульно-блочный принцип. В состав модулей включены микроконтроллеры, что позволило существенно сократить элементную базу этих устройств. Проведена калибровка комплекса. Определены: энергетическое разрешение, составляющее 1,3 %, энергетическая ширина канала – 281 эВ, диапазон регистрируемых энергий от 37 до 281 кэВ, чувствительность 5×1014 ат/см2.