Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии

Simple item page
dc.contributor.authorБумай, Ю. А.ru
dc.contributor.authorВаськов, О. С.ru
dc.contributor.authorНисс, В. С.ru
dc.contributor.authorСолодуха, В. А.ru
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.ru
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.ru
dc.contributor.authorКеренцев, А. Ф.ru
dc.coverage.spatialМинскru
dc.date.accessioned2018-02-08T07:08:08Z
dc.date.available2018-02-08T07:08:08Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationАнализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 305-307.ru
dc.identifier.urihttps://rep.bntu.by/handle/data/37423
dc.language.isoruru
dc.publisherБНТУru
dc.titleАнализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействииru
dc.typeWorking Paperru

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
305-307.pdf
Size:
1.01 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Материалы конференции по статьям