Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой
Loading...
Files
item.page.other-contributor
item.page.advisors
item.page.editors
Date
Publisher
item.page.issn
item.page.isbn
item.page.depon
item.page.diss
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
item.page.title-alternative
Abstract
Представлены генерационные характеристики микрочип-лазера на кристалле Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 в режиме пассивной модуляции добротности для применения в дальнометрии. При использовании кристалла Co2+:MgAl2O4 в качестве пассивного затвора максимальная средняя выходная мощность составила 315 мВт на длине волны 1522 нм c
длительностью импульсов 5 нс и энергией 5,25 мкДж при частоте следования 60 кГц.
item.page.description-other
Description
Citation
Высокочастотный Er3+,Yb3+:Yal3(Bo3)4 микрочип-лазер с продольной диодной накачкой / Горбаченя К. Н., Кисель В. Э., Ясюкевич А. С., Кулешов Н. В., Мальцев В. В., Леонюк Н. И. // Приборы и методы измерений: научно-технический журнал = Devices and methods of measurements : Scientific and Engineering Journal / гл. ред. Гусев О. К. ; кол. авт. Министерство образования Республики Беларусь ; кол. авт. Белорусский национальный технический университет. – Минск : БНТУ, 2012. – №2 (5). – С. 79 - 82.