Применение туннельных переходов для контроля примесей и дефектов в полупроводниковых материалах
| dc.contributor.author | Сопряков, В. И. | ru |
| dc.contributor.author | Ранчинский, И. А. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-08-26T09:44:12Z | |
| dc.date.available | 2021-08-26T09:44:12Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.citation | Сопряков, В. И. Применение туннельных переходов для контроля примесей и дефектов в полупроводниковых материалах / В. И. Сопряков, И. А. Ранчинский // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2008. – Т. 1. – С. 337. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/99953 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | Применение туннельных переходов для контроля примесей и дефектов в полупроводниковых материалах | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
