ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света
| dc.contributor.author | Гусев, О. К. | ru |
| dc.contributor.author | Шадурская, Л. И. | ru |
| dc.contributor.author | Яржембицкая, Н. В. | ru |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru |
| dc.date.accessioned | 2021-08-26T09:44:12Z | |
| dc.date.available | 2021-08-26T09:44:12Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.citation | Гусев, О. К. ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света / О. К. Гусев, Л. И. Шадурская, Н. В. Яржембицкая // Наука - образованию, производству, экономике : материалы Шестой международной научно-технической конференции : в 3 т. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: Б. М. Хрусталев, Ф. А. Романюк, А. С. Калиниченко. – Минск : БНТУ, 2008. – Т. 1. – С. 335. | ru |
| dc.identifier.uri | https://rep.bntu.by/handle/data/99951 | |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | БНТУ | ru |
| dc.title | ИК-фотоприемники на основе полупроводников с глубокими примесями, работающие в линейном режиме при высоких интенсивностях света | ru |
| dc.type | Working Paper | ru |
